本实用新型专利技术涉及一种流道结构的硅衬底雾化芯及雾化装置，采用半导体制程工艺在硅衬底（1）上制作流道（2），并基于硅衬底（1）是否导电，分别设计通电件为通电加热件（3）或者至少一个通电电极（4），完成雾化芯制作，该雾化芯在工作时，烟油通过流道（2）两端进入流道（2）内，由通电件将流道（2）内部的烟油加热雾化，烟油雾化的整个过程中只与硅发生物理接触，彻底避免了棉花结构雾化芯干烧产生有害气体的现象，同时基于硅芯的发热结构也避免了现有雾化芯的重金属排放高的问题；整个硅流道导液结构可控、规则、致密，并且在硅衬底（1）上半导体工艺的使用，改善了传统加热雾化器的加热不均的问题，也具有产品的流道结构、阻值一致性好的优点。阻值一致性好的优点。阻值一致性好的优点。
【技术实现步骤摘要】
一种流道结构的硅衬底雾化芯及雾化装置
[0001]本技术涉及一种流道结构的硅衬底雾化芯及雾化装置，属于雾化芯
技术介绍
[0002]目前诸如电子烟、加湿器等液体雾化器得到了普遍的应用，现有的电子烟雾化芯主要有棉花和多孔陶瓷两种结构，通常在棉花或多孔陶瓷上面缠绕、丝印发热丝，发热丝通电后产生的热量将导油棉内的液体加热，达到雾化液体的目的。但棉花结构的加热雾化元件，存在吸入棉花纤维、棉花干烧积碳、重金属排放量高等缺点，陶瓷结构的加热雾化元件，也存在粉尘脱落、重金属排放等缺点。
技术实现思路
[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种流道结构的硅衬底雾化芯，以硅衬底为基础，应用流道设计产生雾化效果，具有高效、安全的优点。
[0004]本技术为了解决上述技术问题采用以下技术方案：本技术设计了一种流道结构的硅衬底雾化芯，包括硅衬底、设置于硅衬底其中一表面上通过取电实现工作的通电件、以及覆盖硅衬底另一表面内掏布设的至少一条流道，并定义通电件所设硅衬底表面为执行面，各条流道所设硅衬底表面为流道面；
[0005]硅衬底为非导电硅衬底或导电硅衬底，其中，若硅衬底为非导电硅衬底，则通电件为设置于硅衬底执行面上的通电加热件；
[0006]若硅衬底为导电硅衬底，则通电件为至少一个通电电极，各通电电极分别设置于硅衬底执行面上；或者通电件为通电加热件，还包括设置于硅衬底执行面上的绝缘层，通电加热件设置于绝缘层上背向硅衬底执行面的表面上。
[0007]作为本技术的一种优选技术方案：所述硅衬底为非导电硅衬底时，覆盖硅衬底执行面上非通电加热件设置区域内掏布设至少一条流道；
[0008]所述硅衬底为导电硅衬底时，若通电件为至少一个通电电极，则覆盖硅衬底执行面上非各通电电极设置区域内掏布设至少一条流道；若通电件为通电加热件，则覆盖绝缘层上背向硅衬底执行面的表面上、非通电加热件设置区域内嵌布设至少一条流道。
[0009]作为本技术的一种优选技术方案：所述各条流道均为直线形流道。
[0010]作为本技术的一种优选技术方案：所述各条流道中相邻位置流道之间的挡条分别沿其布设路径按预设间隔距离设置各个缺口。
[0011]作为本技术的一种优选技术方案：所述各条流道中相邻位置的流道所在直线之间彼此平行。
[0012]作为本技术的一种优选技术方案：所述硅衬底执行面上各条流道分别所在直线彼此平行，所述硅衬底流道面各条流道分别所在直线彼此平行。
[0013]作为本技术的一种优选技术方案：所述通电件为通电加热件时，通电加热件
为线条形，所述硅衬底执行面上各条流道所在直线、所述硅衬底流道面各条流道所在直线均与通电加热件所在线条的延长线相交。
[0014]作为本技术的一种优选技术方案：还包括覆盖设于所述通电加热件表面的保护绝缘膜，且通电加热件上的取电端裸露。
[0015]作为本技术的一种优选技术方案：所述通电加热件为通电加热电阻丝。
[0016]本技术还要解决的技术问题是提供一种流道结构的硅衬底雾化芯的雾化装置，以所设计硅衬底雾化芯为基础，通过具体所设计供电结构、以及雾化芯装载结构，能够实现雾化芯的高效应用。
[0017]本技术为了解决上述技术问题采用以下技术方案：本技术设计了一种流道结构的硅衬底雾化芯的雾化装置，包括雾化芯应用装置本体、导电弹针、以及各个防漏液垫圈，雾化芯应用装置本体内置腔体，导电弹针设置于雾化芯应用装置本体表面的导电弹针，且导电弹针连通至雾化芯应用装置本体的腔体，所述硅衬底雾化芯可拆分式置于雾化芯应用装置本体腔体中，且导电弹针与雾化芯应用装置本体中通电加热件上的取电端电接触，防漏液垫圈的数目不少于各流道上背向通电加热件的端部所对应各方向的数量，各防漏液垫圈分别可拆分式设置于各方向上各流道上背向通电加热件的端部。
[0018]本技术所述一种流道结构的硅衬底雾化芯及雾化装置，采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
[0019]本技术所设计一种流道结构的硅衬底雾化芯及雾化装置，采用半导体制程工艺在硅衬底上制作流道，并基于硅衬底是否导电，分别设计通电件为通电加热件或者至少一个通电电极，完成雾化芯制作，该雾化芯在工作时，烟油通过流道两端进入流道内，由通电件将流道内部的烟油加热雾化，烟油雾化的整个过程中只与硅发生物理接触，彻底避免了棉花结构雾化芯干烧产生有害气体的现象，同时基于硅芯的发热结构也避免了现有雾化芯的重金属排放高的问题；整个硅流道导液结构可控、规则、致密，并且在硅衬底上半导体工艺的使用，改善了传统加热雾化器的加热不均的问题，也具有产品的流道结构、阻值一致性好的优点。
附图说明
[0020]图1是本技术设计中以通电加热件构成通电件的流道结构的硅衬底雾化芯示意图；
[0021]图2是本技术设计中以通电电极构成通电件的流道结构的硅衬底雾化芯示意图；
[0022]图3是本技术设计中流道示意图；
[0023]图4是本技术设计中应用流道结构的硅衬底雾化芯的装置示意图一；
[0024]图5是本技术设计中应用流道结构的硅衬底雾化芯的装置示意图二。
[0025]其中，1. 硅衬底，2. 流道，3. 通电加热件，4. 通电电极，5. 雾化芯应用装置本体，6. 导电弹针，7. 防漏液垫圈。
具体实施方式
[0026]下面结合说明书附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0027]本技术设计了一种流道结构的硅衬底雾化芯，如图1和图2所示，包括硅衬底1、设置于硅衬底1其中一表面上通过取电实现工作的通电件、以及覆盖硅衬底1另一表面内掏布设的至少一条流道2，并定义通电件所设硅衬底1表面为执行面，各条流道2所设硅衬底1表面为流道面。
[0028]实际应用中，硅衬底1为非导电硅衬底或导电硅衬底，其中，若硅衬底1为非导电硅衬底，则设计通电件为设置于硅衬底1执行面上的通电加热件3，如图1所示。
[0029]若硅衬底1为导电硅衬底，则设计通电件为至少一个通电电极4，如图2所示，各通电电极4分别设置于硅衬底1执行面上；或者设计通电件为通电加热件3，并进一步设计加入设置于硅衬底1执行面上的绝缘层，通电加热件3设置于绝缘层上背向硅衬底1执行面的表面上。
[0030]上述技术方案所设计流道结构的硅衬底雾化芯，在具体实际实施应用中，基于硅衬底1为非导电硅衬底或导电硅衬底，进行进一步设计，在所述硅衬底1为非导电硅衬底时，覆盖硅衬底1执行面上非通电加热件3设置区域内掏布设至少一条流道2，如图1所示；以及在所述硅衬底1为导电硅衬底时，若通电件为至少一个通电电极4，则覆盖硅衬底1执行面上非各通电电极4设置区域内掏布设至少一条流道2，如图2所示；若通电件为通电加热件3，则覆盖绝缘层上背向硅衬底1执行面的表面上、非通电加热件3设置区域内嵌布设至少一条流道2，如图1所示。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种流道结构的硅衬底雾化芯，其特征在于：包括硅衬底（1）、设置于硅衬底（1）其中一表面上通过取电实现工作的通电件、以及覆盖硅衬底（1）另一表面内掏布设的至少一条流道（2），并定义通电件所设硅衬底（1）表面为执行面，各条流道（2）所设硅衬底（1）表面为流道面；硅衬底（1）为非导电硅衬底或导电硅衬底，其中，若硅衬底（1）为非导电硅衬底，则通电件为设置于硅衬底（1）执行面上的通电加热件（3）；若硅衬底（1）为导电硅衬底，则通电件为至少一个通电电极（4），各通电电极（4）分别设置于硅衬底（1）执行面上；或者通电件为通电加热件（3），还包括设置于硅衬底（1）执行面上的绝缘层，通电加热件（3）设置于绝缘层上背向硅衬底（1）执行面的表面上。2.根据权利要求1所述一种流道结构的硅衬底雾化芯，其特征在于：所述硅衬底（1）为非导电硅衬底时，覆盖硅衬底（1）执行面上非通电加热件（3）设置区域内掏布设至少一条流道（2）；所述硅衬底（1）为导电硅衬底时，若通电件为至少一个通电电极（4），则覆盖硅衬底（1）执行面上非各通电电极（4）设置区域内掏布设至少一条流道（2）；若通电件为通电加热件（3），则覆盖绝缘层上背向硅衬底（1）执行面的表面上、非通电加热件（3）设置区域内嵌布设至少一条流道（2）。3.根据权利要求1或2所述一种流道结构的硅衬底雾化芯，其特征在于：所述各条流道（2）均为直线形流道。4.根据权利要求3所述一种流道结构的硅衬底雾化芯，其特征在于：所述各条流道（2）中相邻位置流道（2）之间的挡条分别沿其布设路径按预设间隔距离设置各个缺口。5.根据权利要求4所述一种流道结构的硅衬底雾化芯，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：程元，
申请(专利权)人：程元，
类型：新型
国别省市：
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