雷射二极管驱动电路的改良制造技术

本实用新型专利技术雷射二极管驱动电路的改良，包括：一直流电源、一雷射二极管、一第一电阻器、一第一电容器、一第一晶体管、一第二电阻器、一第三电阻器、一第四电阻器、一第五电阻器、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管及一第五晶体管，其进一步具有一第六晶体管及一第六电阻器，当该第二晶体管的基－射极短路时，其电流将会流入第六晶体管的基极，使第六晶体管导通，第六电阻器上的分压将会使第四晶体管导通，进而使第三晶体管及第二晶体管截止，并使该雷射二极管关闭，本实用新型专利技术解决了不同规格雷射二极管的功率输出增加，造成总光功率输出增加的不足，保护雷射二极管安全，降低生产成本及简化电路，以达到节省电源的目的。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种雷射二极管驱动电路的改良，尤指一 种可降低生产成本及简化电路的雷射二极管驱动电路。
技术介绍
一般雷射二极管驱动电路必须要符合TUV "GS"的测试， 而其测试条件是每个元件做短路或开路，必须使雷射二极管的 输出功率不超过1mw。而雷射二极管的特性则是1。p愈大，功 率愈高L愈大，3个参数成正比。请参照图1，其绘示习知雷射二极管驱动电路。如图所示， 习知雷射二极管驱动电路包含直流电源、雷射二极管1、电 阻器R1、电容器C1、晶体管Q1、电阻器R2、电阻器R3、 电阻器R4、晶体管Q2、电阻器R5、晶体管Q3、晶体管Q4、 电阻器R6及电压侦测器V1。其中，Q2、 Q3串接在一起，就是保护当Q2、 Q3中任一 个短路时使功率不至于增加，电阻器R4及电阻器R5则分别用 以控制Q2、 Q3导通与否。电压侦测器V1用以侦测A点的电 压是否超过1.1伏特(V)，当A点的电压低于1.1伏特时，电压 侦测器V1的V。ut电位为低电位，晶体管Q4不导通，B点电位 为高电位而雷射二极管1正常输出；当A点的电压高于1.1伏 特时，电压侦测器V1的V。ut电位为高电位，使晶体管Q4导 通，B点电位为低电位而关闭雷射二极管1输出，以达到保护作用。在正常功率不超过1mw时，A点的电压是低于1.1伏特 的。而当电阻器R1短路、电阻器R3短路、电阻器R2开路或 雷射二极管1的PD接脚开路时皆会使A点的电压上升为1.1 伏特。然而，由于如图1所示的习知雷射二极管驱动电路使用电 压侦测器V1，其价格非常昂贵，使得电路成本提高。本技术的申请人针对上述习知技术的缺点曾于2002 年5月22日申请一雷射二极管驱动电路的改良技术专利 (专利号为CN02233788.1)以改善其缺点。请参照图2，其绘示 编号为CN02233788.1案雷射二极管驱动电路的改良电路示意 图。如图所示，本技术的雷射二极管驱动电路的改良包含 雷射二极管1、直流电源2、第一电阻器3、第一电容器4、第 一晶体管5、第二电阻器6、第三电阻器7、第四电阻器8、第 二晶体管9、第五电阻器10、第三晶体管11、第四晶体管12 及第五晶体管13。其中编号与图1中相同，表示其与习知雷射二极管驱动电 路中的构件功能相同，在此不再赘述。如图所示，其特征在于 该第四晶体管12的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该 第四晶体管12的射极耦接至该第五晶体管13的基极，该第五 晶体管13的射极接地，利用该第四晶体管12的基极至射极的 0.6伏特压降加上该第五晶体管13的基极至射极的0.6伏特压 降构成1.2伏特的保护电压，当该第四晶体管12的基极(即图 示的A点)输入电压超过1.2伏特时使该第四晶体管12及该第 五晶体管13导通并使该雷射二极管1关闭，以达到保护该雷 射二极管1的目的。该第四晶体管12用以侦测A点的电压是否超过1.2伏特，当A点的电压低于1.2伏特时，该第四晶体管12及该第五晶 体管13不导通，B点电位为高电位而雷射二极管1正常输出；当A点的电压高于1.2伏特时，该第四晶体管12及该第五晶 体管13导通，使B点电位为低电位而关闭雷射二极管1输出， 以达到保护作用。在正常功率不超过1mw时，A点的电压是低 于1.2伏特。但是，当直流电源2的电压高于3.3V及晶体管Q2的基-集(B-C)极间短路时，依不同规格的雷射二极管，有些不同规格 雷射二极管1的功率输出将会增加约0.2mW，如此将会造成总 光功率输出超过1mW，诚属美中不足之处。
技术实现思路
本
技术实现思路
的目的是克服已有雷射二极管驱动电路的 缺点，提供一种雷射二极管驱动电路的改良。一种雷射二极管驱动电路的改良，包括一直流电源、 一雷射二极管、 一第一电阻器、 一第一电容 器、 一第一晶体管、 一第二电阻器、 一第三电阻器、 一第四电 阻器、 一第五电阻器、 一第二晶体管、 一第三晶体管、 一第四 晶体管及一第五晶体管，其中该第四晶体管的基极耦接至集极 以作为一二极管使用，该第四晶体管的射极耦接至该第五晶体管的基极，该第五晶体管的射极接地，其特征在于其进一步具有一第六晶体管及一第六电阻器，该第六晶体管的基极及集 极皆耦接至该第二晶体管的基极，其射极则经由该第六电阻器 耦接至该第四晶体管的基极，当该第二晶体管的基-集极短路 时，其电流将会流入第六晶体管的基极，使第六晶体管导通， 第六电阻器上的分压将会使第四晶体管导通，进而使第三晶体管及第二晶体管截止，并使该雷射二极管关闭，以达到保护该雷射二极管及总光功率输出不超过1mW，达到安全的功能。 所述雷射二极管驱动电路的改良，其中该直流电源系为3伏特电池。所述雷射二极管驱动电路的改良，其中该第一晶体管、该 第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管系为NPN型晶体管。本技术的有益效果是解决了不同规格雷射二极管的功 率输出增加，造成总光功率输出增加的不足之处，达到安全的 功能，可降低生产成本及简化电路，以达到节省电源的目的。附图说明图1为习知雷射二极管驱动电路示意图2为另一习知雷射二极管驱动电路示意图3为本技术的雷射二极管驱动电路的改良二的电路示意图。具体实施方式请参照图3，其绘示本技术的雷射二极管驱动电路的改良电路二的示意图。如图所示，本技术的雷射二极管驱动电路的改良二包含一直流电源100、 一雷射二极管110、 一 第一电阻器120、 一第一电容器130、 一第一晶体管140、 一 第二电阻器150、 一第三电阻器160、 一第四电阻器170、 一 第五电阻器180、 一第二晶体管190、 一第三晶体管200、 一 第四晶体管210、 一第五晶体管220、 一第六晶体管230及一 第六电阻器240。其中，该直流电源100、雷射二极管110、第一电阻器120、 第一电容器130、第一晶体管140、第二电阻器150、 一第三 电阻器160、第四电阻器170、第五电阻器180、第二晶体管 190、第三晶体管200、第四晶体管210及第五晶体管220与 图1及图2中所示的雷射二极管1、直流电源2、第一电阻器3、 第一电容器4、第一晶体管5、第二电阻器6、第三电阻器7、 第四电阻器8、第二晶体管9、第五电阻器10、第三晶体管11、 第四晶体管12及第五晶体管13的功能相同，其中该第四晶体 管210的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四晶体管 210的射极耦接至该第五晶体管220的基极，该第五晶体管220 的射极接地，以供侦测A点的电压，其原理请参照上述的说明， 在此不拟重复赘述。本技术的雷射二极管驱动电路的改良二的特征在于 其进一步具有一第六晶体管230及一第六电阻器240，该第六 晶体管230的基极及集极皆耦接至该第二晶体管的基极，其射 极则经由该第六电阻器240耦接至该第四晶体管210的基极。其中，该直流电源100例如但不限于为3伏特电池。该第一晶体管140、该第二晶体管190、该第三晶体管200、 该第四晶体管210、该第五晶体管220及该第六晶体管230例 如但不限于为NPN型晶体管。本技术的雷射二极管驱动电路的改良二的动作原理 为当该直流电源100的电压高于3.3V且第二晶体管190的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雷射二极管驱动电路的改良，其特征在于，包括：　　　　一直流电源、一雷射二极管、一第一电阻器、一第一电容器、一第一晶体管、一第二电阻器、一第三电阻器、一第四电阻器、一第五电阻器、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管及一第五晶体管，其中该第四晶体管的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四晶体管的射极耦接至该第五晶体管的基极，该第五晶体管的射极接地，其特征在于：其进一步具有一第六晶体管及一第六电阻器，该第六晶体管的基极及集极皆耦接至该第二晶体管的基极，其射极则经由该第六电阻器耦接至该第四晶体管的基极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶云烜，
申请(专利权)人：稳态企业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]