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低噪声、高增益、高平坦的长波段掺铒光纤放大器制造技术

技术编号:3317199 阅读:187 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种低噪声、高增益、高平坦的长波段掺铒光纤放大器,其特征在于 输入端(1)的信号光经过光隔离器(2)到达波分复用器(10);泵浦(5)输出的泵浦光经过泵浦耦合器(11)分成两束后的光按比例分别进入波分复用器(10)和波分复用器(4);汇合后的光从波分复用器(10)的输出端出来后依次进入掺铒光纤EDF Ⅲ(12),光隔离器(9),掺铒光纤EDF Ⅱ(3)到达波分复用器(4);汇合后的光从波分复用器(4)的输出端出来后进入掺铒光纤EDF Ⅰ(6)到达光隔离器(7),最后到达输出端(8)。(*该技术在2012年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光通信技术光纤放大器领域,尤其涉及一种低噪声、高增益、高平坦的长波段掺铒光纤放大器
技术介绍
光通信技术的迅猛发展,传统的短波段C-band(1520nm~1560nm)掺铒光纤放大器(EDFA)增益带宽已不能满足密集波分复用系统的要求。系统运营商正逐步趋向于长波段(1570nm~1605nm)EDFA的研制。长波段EDFA不仅能有效增长信号带宽,而且还能降低限制色散移位光纤传输信号带宽的非线性失真,因此引起了人们的广泛兴趣。但是,长波段EDFA由于工作在铒光纤增益谱的尾部,效率很低,存在增益不高、输出功率不大等缺点。目前,增强波段EDFA增益的方法主要有利用反向放大的自发辐射(ASE)(J.Lee,U.C.Ryu,S.J.Ahn et al..Enhancement of power conversion efficiency for a L-band EDFA with a secondarypumping effect in the unpumped EDF section.IEEE Photon.Technol.Lett.,1999,11(1)42-44.);使用1550nm泵浦光放大(M.A.Mahdi,F.R.M.Adikan,P.Poopalan et al..Long-wavelength EDFA enhancement through 1550 nm band signalinjection.Opt.Commun.,2000,176(3)125-129.);还有最近报道的双程(doublepass)技术(S.W.harun,P.Poopalan,and H.Ahmad Gain enhancement in L-BandEDFA through a Double-pass technique.IEEE Photon.Technol.Lett.,2002,14(3)296-297.)。选用1550nm的泵浦源需要增加额外的泵浦源成本;双程技术固然可以使噪声得到改善,但它要用到两个光环形器,也增加了产品的成本。因此,采用短波段的ASE作二级泵浦源是最理想的。图1是中国专利No.CN 1246641A提出的采用后向ASE作二次泵浦的长波段掺铒光纤放大器的结构图。图中掺铒光纤6吸收980nm波长的泵浦光5,掺铒光纤3没有泵浦源;掺铒光纤6产生的反向ASE去泵浦掺铒光纤3,掺铒光纤3产生的前向ASE又作用于掺铒光纤6,最后输出放大的信号光。这种结构仅仅提高了L band EDFA的增益,但未能同时实现增益谱的平坦。此外,这种结构随着掺铒光纤6长度的增长,放大的自发辐射光功率逐渐变大,大量消耗反转的粒子数,阻碍放大器的增益和光功率的增长,诱导自发辐射饱和并降低增益与恶化放大器的噪声。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种低噪声、高增益、高平坦的长波段掺铒光纤放大器。低噪声、高增益、高平坦的长波段掺铒光纤放大器的输入端的信号光经过第一光隔离器到达一波分复用器;泵浦输出的泵浦光经过泵浦耦合器分成两束后的光按比例分别进入一波分复用器和另一波分复用器;汇合后的光从一波分复用器的输出端出来后依次进入掺铒光纤EDF III,第二光隔离器,掺铒光纤EDF II到达另一波分复用器;汇合后的光从另一波分复用器的输出端出来后进入掺铒光纤EDF I到达第三光隔离器,最后到达输出端。本技术可以让长波段掺铒光纤放大器同时具有高增益、低噪声且增益谱平坦的特性。当输入信号光功率为-20dBm,在1570nm~1605nm波长范围内使增益偏差小于1dB,且增益值高达34dB,噪声指数小于3.5dB。在多波长信号光(如1587nm、1589nm和1591nm)同时输入时三者的增益/噪声分别是40.3621dB/3.4643dB、40.5005dB/3.3488dB、40.9979dB/3.3133dB,增益最大相差值为0.6358dB,噪声最大相差值为0.151dB。本技术也适用于反向泵浦方式及具他泵浦波长,如1480nm泵浦。附图说明图1是中国专利No.CN 1246641A的结构框图;图2是本技术结构框图;图3是本技术理论模拟用到的EDF参数α和g*的谱线图;图4是本技术优化前的ASE谱线与中国专利No.CN 1246641A的比较图,图中实线为本技术EDFA的ASE谱线,虚线为中国专利No.CN1246641A的EDFA的ASE谱线;图5是本技术优化后的ASE谱线与中国专利No.CN 1246641A的比较图,图中实线为本技术EDFA的ASE谱线,虚线为中国专利No.CN1246641A的EDFA的ASE谱线;图6是本技术的EDFA在输入信号光功率(-20dBm)相同时EDFA增益(噪声)和信号光输入波长的关系曲线图;图7是本技术的单信道输入时EDFA增益(噪声)和信号光输入功率关系曲线图;图8是本技术的多信道输入时EDFA增益(噪声)和信号光输入功率关系曲线图,图中曲线1是波长为1587nm光的增益曲线,曲线2是波长为1587nm光的噪声指数曲线,曲线3是波长为1589nm光的增益曲线,曲线4是波长为1589nm光的噪声指数曲线,曲线5是波长为1591nm光的增益曲线,曲线6是波长为1591nm光的噪声指数曲线。具体实施方式低噪声、高增益、高平坦的长波段掺铒光纤放大器的输入端1的信号光经过光隔离器2到达波分复用器10;泵浦5输出的泵浦光经过泵浦耦合器11分成两束后的光按比例分别进入波分复用器10和波分复用器4;汇合后的光从波分复用器10的输出端出来后依次进入掺铒光纤EDF III 12,光隔离器9,掺铒光纤EDF II 3到达波分复用器4;汇合后的光从波分复用器4的输出端出来后进入掺铒光纤EDF I 6到达光隔离器7,最后到达输出端8。所说的掺铒光纤EDF III 12产生的前向放大的自发辐射和掺铒光纤EDF I6产生的后向放大的自发辐射作为二级泵浦源,去泵浦掺铒光纤EDF II 3。通常,取泵浦耦合器11输出的光比例为1∶2~4,光隔离器9为宽带光隔离器,掺铒光纤EDF III 12的长度为5~10米,掺铒光纤EDF II 3的长度为5~10米,掺铒光纤EDF I 6的长度为70~100米。自从掺铒光纤放大器出现以来,出现了各种各样模拟掺铒光纤放大器的理论模型。原先的模型需要吸收截面、发射截面、模场半径、掺铒半径、掺铒浓度等比较基础的物理量,但这些物理量在实际光纤中并不是均匀的,精确测量比较困难。后来出现的Giles模型则把几个测量难度大的参数简化成在实验中能较容易测量得到的吸收系数和发射系数,是一个可以和实验符合很好的模型。基于Giles模型,一些文献用数值计算对EDFA的性能进行过分析,但它们部是把增益和噪声隔离开分析的。而增益和噪声是掺铒光纤放大器最主要的两个性能指标,是相互关联的,同时考虑增益和噪声是必要的。常温下,EDFA增益介质是以均匀展宽为主,可以用二能级模型来描述。根据Giles模型,考虑了自发辐射后的EDFA的速率方程如下dPk±(z)dz=±(α本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:强则煊何赛灵
申请(专利权)人:浙江大学
类型:实用新型
国别省市:

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