【技术实现步骤摘要】
本发展属于气体放电电子器件生产技术。离子层保护铝冷阴极的技术，主要用于气体放电的电子器件的生产工艺中。保护铝冷阴极，防止铝溅射，可以延长该类电子器件的工作寿命。国内外目前普遍使用氧化法保护铝阴极，即在铝阴极外表面用氧气氛放电的方法生长氧化层(三氧化二铝)，用它覆盖裸体铝阴极，以防止被放电气体粒子碰撞而溅射。这种方法有两个缺点一是氧化不易完整，不能彻底克服铝阴极溅射现象，二是铝阴极表面覆盖了一层氧化铝，因此造成了铝阴极发射电子的困难。这样，会造成阴极放电区的电场强度增大，导致放电气体粒子动能增大，高动能的粒子碰撞在阴极表面，还是会引起阴极溅射。因此，用氧化法保护的铝阴极寿命是有限的。本专利技术利用一种低电离电位的金属元素汞，在铝阴极表面的阴极放电区形成离子化保护层。该离子层的作用，是防止气体放电的离子直接碰撞铝表面，防止发生阴极溅射现象，从而延长了气体放电电子器件的使用寿命。本专利技术的构思是，用光谱纯铝作为气体放电的电子器件的冷阴极时，由于铝表面受到气体放电粒子碰撞，铝原子会脱离铝表面飞溅出来，即发生所谓阴极溅射，使铝阴极损伤，影响了电子器件的使用寿命。为克服铝阴极溅射，需要对铝阴极表面完善保护。本专利技术采用汞离子层完整地保护了铝阴极表面，它有两大优点一是光谱纯的汞蒸气原子，被气体放电粒子电泳到阴极表面附近，形成完整的汞离子保护层。这种保护层是由电泳效应形成的一种动态保护层，它会无孔不入地保护住铝阴极的每一部分，因而可使保护绝对完整;第二个优点是，由于汞原子的电离电位远低于气体放电原子，在铝阴极的阴极放电区，存在一层低电离电位的汞离子层，这样就大大降低了阴...
【技术保护点】
一种离子层对铝阴极的保护技术，利用放电氧化法，将铝阴极在纯氧中完善氧化，形成氧化层，本专利技术的特征在于，将锆铝汞片点焊在铝阴极上，对铝阴极和锆铝汞片除气后，再加热激活锆铝汞片，使其释放汞蒸气。
【技术特征摘要】
1.一种离子层对铝阴极的保护技术，利用放电氧化法，将铝阴极在纯氧中完善氧化，形成氧化层。本发明的特征在于，将锆铝汞片点焊在铝阴极上，对铝阴极和锆铝汞片除气后，再加热激活锆铝汞片，使其释放汞蒸气。2.根据权利要求1所说的离子层对铝阴极保护技术，其特征在于，所说的锆铝汞片的面积为0.5～2cm2...
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