一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅领域，公开了一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉，所述碳化硅晶体生长检测装置采用兆声发生器产生第一兆声振动信号，利用所述传声棒将所述第一兆声振动信号传送至坩埚盖，进而传送至生长中的碳化硅晶体，使得生长中的碳化硅晶体发生振动，利用激光震动监测器对坩埚盖的振动信号进行检测，就可以获得第二兆声振动信号；根据所述第一兆声振动信号和第二兆声振动信号就可以对碳化硅晶体生长的厚度和质量进行检测。本发明专利技术不需要打开碳化硅晶体生长炉即可以对晶体生长的厚度和质量进行检测，当发现问题，可以及时中断生长过程或通过调整生长工艺参数来改善后续的晶体生长质量，避免材料和能源的浪费。源的浪费。源的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉


[0001]本专利技术涉及碳化硅
，具体为一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉。

技术介绍

[0002]SiC晶体作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等物理性质，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、高温电子器件理想的半导体材料，其在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、石油勘探、新能源汽车，高铁，5G网络基础设施等方面有着广泛应用，目前碳化硅的制备普遍采用PVT（物理气相传输）法，目前PVT方法生长碳化硅晶体的过程中，由于装料石墨坩埚以及保温系统封闭的原因，导致碳化硅晶体生长质量及厚度无法监测，仅能依靠前期生长经验来判断，这导致生长过程不可控。
[0003]并且每次生长碳化硅晶体，需要经过升温、降温的过程，由于生长温度在2000℃以上，又存在保温系统，升温、降温两个过程，需要较多的时间来完成。在生长过程中，若晶体质量不高，无法及时得知，只能靠经验完成整个工艺流程，冷却后开炉查看碳化硅晶体的生长质量和厚度，这期间将产生大量的能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长检测装置，其特征在于，包括兆声发生器、传声棒、激光震动监测器、控制模块，所述传声棒的一端连接兆声发生器，另一端连接用于碳化硅晶体生长的碳化硅晶体生长炉内的坩埚盖，所述坩埚盖的内侧设置有生长中的碳化硅晶体；所述兆声发生器用于产生第一兆声振动信号，利用所述传声棒将所述第一兆声振动信号传送至坩埚盖，进而传送至生长中的碳化硅晶体；所述激光震动监测器利用激光对坩埚盖的振动信号进行检测，获取第二兆声振动信号；所述控制模块与兆声发生器、激光震动监测器相连，根据所述第一兆声振动信号和第二兆声振动信号对碳化硅晶体生长的厚度和质量进行检测。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长检测装置，其特征在于，所述兆声发生器的频率范围为800千赫兹~5000千赫兹。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长检测装置，其特征在于，所述兆声发生器设置在碳化硅晶体生长炉内的外侧，且所述兆声发生器与传声棒固定连接，所述传声棒压在所述坩埚盖表面。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长检测装置，其特征在于，所述激光震动监测器设置在碳化硅晶体生长炉的外侧，所述碳化硅晶体生长炉具有观察窗，所述观察窗与坩埚盖表面相对，所述激光震动监测器的激光透过观察窗照射到坩埚盖表面进行坩埚盖的振动信号检测。...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮孝东，沈典宇，王蓉，王芸霞，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：