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一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉制造方法及图纸
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下载一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉的技术资料
文档序号:33161331
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本发明涉及碳化硅领域,公开了一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉,所述碳化硅晶体生长检测装置采用兆声发生器产生第一兆声振动信号,利用所述传声棒将所述第一兆声振动信号传送至坩埚盖,进而传送至生长中的碳化硅晶体,使得生长中的碳化硅...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。
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