相干光源及其制造方法技术

技术编号:3315010 阅读:176 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源,将波长可变的DBR半导体激光器(1)和光波导型QPM-SHG器件(2)安装在Si底座(7)上,并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有半导体激光器和光波导器件,并将其固定在管壳内的。
技术介绍
作为小型短波长光源,利用半导体激光器和伪相位匹配(以下称「QPM」)方式光波导型第二谐波发生(以下称「SHG」)器件(光波导型QPM-SHG器件)的相干光源引起了人们的注意(参照山本等的optics Letters Vol.16,No.15,1156(1991))。图12是使用光波导型QPM-SHG器件的SHG蓝色光源结构概略图。如图12所示,在该SHG蓝色光源中,作为半导体激光器使用了具有分布布拉格反射器(以下称「DBR」)区的波长可变DBR半导体激光器54。波长可变DBR半导体激光器54是0.85μm带的100mW级AlGaAs系列波长可变DBR半导体激光器,具有活性层区56和相位调整区57以及DBR区58。通过同时改变流向相位调整区57和DBR58的注入电流来连续地改变振荡波长。作为波长变换元件的光波导型QPM-SHG器件55由形成在0.5mm厚的X板MgO掺杂LiNbO3衬底59上的光波导60和周期性分极反转区61构成。光波导60是通过在焦磷酸中进行质子交换而形成的。另外,周期性的分极反转区61本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相干光源,其特征在于,在底座上至少安装了半导体激光器和光波导器件,并将上述底座固定在管壳内,在上述管壳的底座固定面上形成了固定上述底座时的基准标记。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:北冈康夫水内公典山本和久泷川信一
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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