赝配高迁移率晶体管、低噪声放大器及相关装置制造方法及图纸

本申请提供了一种赝配高迁移率晶体管PHEMT、低噪声放大器及相关装置，PHEMT包括：沟道层，分别设置于所述沟道层两侧的下势垒层和上势垒层，所述下势垒层与所述沟道层连接；以及，设置于所述沟道层和所述上势垒层之间的第一隔离层和第一掺杂层，所述第一隔离层用于隔离所述第一掺杂层和所述沟道层，所述第一掺杂层用于提供二维电子气，其中，在PHEMT的输出电流小于第一阈值时的所述沟道层的导带能级小于费米能级，以提高小输出电流时PHEMT的线性度，进而降低由于LNA非线性引起的交调失真。进而降低由于LNA非线性引起的交调失真。进而降低由于LNA非线性引起的交调失真。

【技术实现步骤摘要】
赝配高迁移率晶体管、低噪声放大器及相关装置


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种赝配高迁移率晶体管、低噪声放大器及相关装置。

技术介绍

[0002]如图1所示，在无线通信产品天线端的接收链路上，接收信号在经过低噪声放大器LNA 时，会与泄露进接收链路中的发射信号产生互调信号，进而产生互调失真(intermodulationdistortion，IMD)。这是由于LNA的非线性特质造成的。其中，由于其三阶交调产物的频率与接收信号的频率十分接近，无法被接收链路中后续的滤波器所抑制，进而在链路上对接收信号产生干扰。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种赝配高迁移率晶体管PHEMT、低噪声放大器及相关装置，通过使在PHEMT的输出电流小于第一阈值时的所述沟道层的导带能级小于费米能级，进而提高小输出电流时PHEMT的线性度，进而降低由于LNA非线性引起的交调失真。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种赝配高迁移率晶体管PHEMT，包括：
[0005]沟道层；
>[0006]分别设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种赝配高迁移率晶体管PHEMT，其特征在于，包括：沟道层；分别设置于所述沟道层两侧的下势垒层和上势垒层，所述下势垒层与所述沟道层连接；以及，设置于所述沟道层和所述上势垒层之间的第一隔离层和第一掺杂层，所述第一隔离层用于隔离所述第一掺杂层和所述沟道层，所述第一掺杂层用于提供二维电子气；其中，在所述PHEMT的输出电流小于第一阈值时的所述沟道层的导带能级小于费米能级。2.根据权利要求1所述的PHEMT，其特征在于，所述下势垒层与所述沟道层直接连接。3.根据权利要求2所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层为硅掺杂，掺杂浓度为3e
12
cm
‑2至5e
12
cm
‑2。4.根据权利要求1所述的PHEMT，其特征在于，所述下势垒层与所述沟道层通过第二隔离层和第二掺杂层连接，所述第二隔离层用于隔离所述沟道层和所述第二掺杂层，所述第二掺杂层用于提供二维电子气。5.根据权利要求4所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度为3.5e
12
cm
‑2至4.5e
12
cm
‑2，所述第二掺杂层的掺杂浓度为3e
11
cm
‑2至5e
11
cm
‑2。6.根据权利要求4所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度与所述第二掺杂层的掺杂浓度之比大于预设值。7.根据权利要求4所述的PHEMT，其特征在于，所述预设值大于9。8.根据权利要求1<...

【专利技术属性】
技术研发人员：于明朗，滕腾，叶键伟，余杰，周小敏，徐煜思，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：