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本申请提供了一种赝配高迁移率晶体管PHEMT、低噪声放大器及相关装置，PHEMT包括：沟道层，分别设置于所述沟道层两侧的下势垒层和上势垒层，所述下势垒层与所述沟道层连接；以及，设置于所述沟道层和所述上势垒层之间的第一隔离层和第一掺杂层，所述...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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