两相热法合成硫化镉量子点制造技术

本发明专利技术属于两相热法合成硫化镉量子点，该方法是以含２－１８个碳的烷基羧酸镉或氧化镉为镉源，硫脲或硫代乙酰胺为硫源，油酸或三辛基氧化膦（ＴＯＰＯ）为包裹剂，镉源和硫源的摩尔为１０∶１－１∶１０，镉源和包裹剂的摩尔比为１∶７－１∶２５，等体积的水和不溶于水的有机化合物为溶剂形成一个两相体系，在高压釜内１２０－１８０℃条件下加热０．５－２４小时。通过改变反应时间获得不同尺寸的硫化镉量子点。也可以用获得的量子点作为晶种，与新加入的反应前驱体反应，获得较大尺寸的、与晶种尺寸分布相近的量子点，实现量子点尺寸的可控性。本发明专利技术获得的量子点尺寸分布较窄，在紫外灯下发蓝紫色或蓝色光。量子效率可达３－６０％。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于两相热法合成硫化镉量子点。
技术介绍
由于量子尺寸效应，半导体量子点，特别是II-VI族半导体量子点，展现出与本体材料不同的且依赖于尺寸的光学性质，而这一性质可应用于制备发光二极管、太阳能电池、单电子激光器等领域，因此，合成尺寸可控的半导体量子点已成为近年来广泛研究的焦点。半导体量子点的光学性质与它们的尺寸分布有关，即尺寸分布越窄，半导体量子点发出的光就越纯。而这种高纯度的发光在半导体量子点的应用中是非常重要的，因此，合成尺寸分布窄的高质量的半导体量子点是很多科学家追求的目标。在II-VI族半导体量子点的合成研究中，由M.G.Bawendi组发展起来的金属有机化合物前驱体热分解的方法是广泛用来合成尺寸分布窄的高质量半导体量子点的方法之一(J.Am.Chem.Soc.1993，115，8706)。然而，这种方法所用的原料均为毒性较大的物质，容易污染环境，而且实验操作复杂，不利于大规模的工业生产。例如，用作镉源的二甲基镉、用作硫源的(TMS)2S、用作硒源的(TMS)2Se或硒粉、用作碲源的(TMS)2Te或碲粉，均为毒性较大的物质；反应需在无氧无水的条件下完成；成核和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备硫化镉量子点的方法，其特征在于可选择含２－１８个碳的烷基羧酸镉或氧化镉为镉源，硫脲或硫代乙酰胺为硫源，油酸或三辛基氧化膦为包裹剂，水和不溶于水的有机化合物为溶剂，形成一个两相体系，其中，用作溶剂的有机化合物为苯、甲苯、环己烷、正己烷或正庚烷，其体积与水的体积相等，反应在１２０－１８０℃的温度下在高压釜内完成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王强，潘道成，姬相玲，蒋世春，安立佳，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]