【技术实现步骤摘要】
一种铝超半球制造工艺
[0001]本专利技术涉及铝超半球制造
,具体涉及一种铝超半球制造工艺。
技术介绍
[0002]铝超半球在强激光系统、He
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Ne放电管、X射线管、光刻机等方面有着重要而广泛的应用。目前,制造这种铝超半球的方法主要有化学抛光法、电镀法、古典式抛光法等。其中,以化学抛光法所获得的铝超半球具有较高的性价比,因而,在工业化生产中获得了广泛的应用。
[0003]但化学抛光的不足之处在于:为了尽可能的去除铝超半球表面的瑕疵,化学抛光需要对表面进行较深的化学腐蚀和钝化。而长时间的化学腐蚀会放大化学腐蚀的不均匀效果,铝超半球不同区域的腐蚀深度会有显著差异。另外,表面腐蚀层中残留的气体分子、氮化物、氧化物等污染物难以清洗干净,也难以实现无损检测。去除这些污染物成为铝超半球研究和制造过程中的技术难题之一。
[0004]研究表明,对于成品铝超半球来讲,铝超半球表面任何形状上的畸异点都将成为放电电流集中的区域,畸异点的工作寿命直接决定了铝超半球的使用寿命。因此,如何降低铝超半球的表面粗 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铝超半球制造工艺,其包括下列步骤:S1、加工铝超半球的工件毛坯;S2、对铝超半球的工作面进行精加工;S3、对铝超半球的工作面进行化学抛光;S4、对铝超半球进行湿法清洗;S5、对铝超半球进行真空排气;S6、对铝超半球进行等离子体氧化。2.根据权利要求1所述的铝超半球制造工艺,其特征在于,所述对铝超半球进行等离子体氧化包括在高压氧气氛围的放电腔室中,以铝超半球为正极,以铝超半球对面预设好的铝金属材料为负极,加载电流大小范围为5mA
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20mA的恒流源进行等离子体氧化,氧化过程中,正负极两端电压不小于400V。3.根据权利要求2所述的铝超半球制造工艺,其特征在于,所述对铝超半球进行等离子体氧化包括多级氧化过程,且后一级氧化过程加载的恒流源的电流大小大于前一级氧化过程加载的恒流源的电流大小。4.根据权利要求2所述的铝超半球制造工艺,其特征在于,所述对铝超半球进行等离子体氧化还包括在氧化过程完成后,向放电腔室中充入1个大气压氮气。5.根据权利要求1所述的铝超半球制造工艺,其特征在于,所述对铝超半球的工作面进行精加工包括采用单点金刚石车床...
【专利技术属性】
技术研发人员:鲍浪,王强,谭锐,王保峰,杨欣,王菲,熊聪,付翥,
申请(专利权)人:华中光电技术研究所中国船舶重工集团公司第七一七研究所,
类型:发明
国别省市:
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