多尔蒂功率放大器和装置制造方法及图纸

本公开涉及多尔蒂功率放大器和装置。描述了在载波路径中具有低电压驱动级并在峰值路径中具有高电压驱动级的多尔蒂功率放大器和装置。在实施例中，多尔蒂功率放大器具有被配置成在驱动级输出处使用第一偏置电压进行操作的载波路径驱动级晶体管，以及被配置成在末级输出处使用第二偏置电压进行操作的末级晶体管。峰值路径驱动级晶体管被配置成在所述驱动级输出处使用第三偏置电压进行操作，并且电耦合到所述峰值路径驱动级晶体管的所述驱动级输出的末级晶体管被配置成在所述末级输出处使用第四偏置电压进行操作，其中所述第三偏置电压至少是所述第一偏置电压的两倍大。置电压至少是所述第一偏置电压的两倍大。置电压至少是所述第一偏置电压的两倍大。

【技术实现步骤摘要】
多尔蒂功率放大器和装置


[0001]本文中所描述的主题的实施例大体上涉及射频(RF)放大器，并且更具体地说，涉及功率晶体管装置和放大器以及制造此类装置和放大器的方法。

技术介绍

[0002]无线通信系统越来越需要更高的效率以降低操作和系统成本。在无线通信系统发射器中，射频(RF)功率放大器是最消耗功率的元件之一，并且发射器RF功率放大器通常对耗散的总功率影响最大。因此，放大器和发射器设计者努力开发具有降低的功率消耗和功率损耗的RF功率放大器，同时维持或提高效率和RF带宽。

技术实现思路

[0003]描述了在载波路径中具有低电压驱动级并在峰值路径中具有高电压驱动级的多尔蒂功率放大器和装置。在实施例中，一种多尔蒂功率放大器具有：载波路径驱动级晶体管，所述载波路径驱动级晶体管具有驱动级输入和驱动级输出，其中所述载波路径驱动级晶体管被配置成在所述驱动级输出处使用第一偏置电压进行操作；载波路径末级晶体管，所述载波路径末级晶体管具有末级输入和末级输出，其中所述载波路径末级晶体管的所述末级输入电耦合到所述载波路径驱动级晶体管的所述驱动级输出，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多尔蒂功率放大器，其特征在于，包括：载波路径驱动级晶体管，所述载波路径驱动级晶体管具有驱动级输入和驱动级输出，其中所述载波路径驱动级晶体管被配置成在所述驱动级输出处使用第一偏置电压进行操作；载波路径末级晶体管，所述载波路径末级晶体管具有末级输入和末级输出，其中所述载波路径末级晶体管的所述末级输入电耦合到所述载波路径驱动级晶体管的所述驱动级输出，并且所述载波路径末级晶体管被配置成在所述末级输出处使用第二偏置电压进行操作；峰值路径驱动级晶体管，所述峰值路径驱动级晶体管具有驱动级输入和驱动级输出，其中所述峰值路径驱动级晶体管被配置成在所述驱动级输出处使用第三偏置电压进行操作；以及峰值路径末级晶体管，所述峰值路径末级晶体管具有末级输入和末级输出，其中所述峰值路径末级晶体管的所述末级输入电耦合到所述峰值路径驱动级晶体管的所述驱动级输出，并且所述峰值路径末级晶体管被配置成在所述末级输出处使用第四偏置电压进行操作，其中所述第三偏置电压至少是所述第一偏置电压的两倍大。2.根据权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电压为5伏。3.根据权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述第二偏置电压和所述第四偏置电压基本上彼此相等。4.根据权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述第二偏置电压至少是所述第一偏置电压的两倍大。5.根据权利要求4所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电压为5伏。6.根据权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述第二偏置电压、所述第三偏置电压和所述第四偏置电压基本上彼此相等。7.根据权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述载波路径驱动级晶体管和所述载波路径末级晶体管被集成到半导体管芯中，其中所述半导体管芯是硅基管芯，所述载波路径驱动级晶体管是第一横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应晶体管(FET)，并且所述载波路径末级晶体管是第二LDMOS FET。8.根据权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述载波路径驱动级晶体管被集成到第一半导体管芯中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绿，E，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：