【技术实现步骤摘要】
存储器装置
[0001]本申请要求于2020年10月15日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0133419号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
[0002]本专利技术构思涉及一种存储器装置。
技术介绍
[0003]存储器装置可以包括其中设置用于写入数据的存储器单元的单元区域和其中设置控制单元区域的电路的外围电路区域。外围电路区域和单元区域通过字线、共源极线和位线连接，外围电路区域可以通过字线、共源极线和位线执行控制操作(诸如编程操作、读取操作和擦除操作)。
技术实现思路
[0004]示例实施例提供了一种存储器装置，在该存储器装置中，通过有效地设置连接到共源极线的源极接触件而显著减小输入到共源极线的电压的变化并且改善操作特性和可靠性。
[0005]根据示例实施例，一种存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件的至少一部分提供源极驱动器；以及单元区域，包括在与第一基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于所述第一基底上的电路元件，所述电路元件的至少一部分提供源极驱动器；以及单元区域，包括在与所述第一基底的上表面垂直的第一方向上与所述外围电路区域堆叠的第二基底以及在与所述第二基底的上表面平行的第二方向上布置的单元块和虚设块，其中，所述单元块中的每个包括交替地堆叠在所述第二基底上的栅电极层和绝缘层以及沿所述第一方向延伸以穿透所述栅电极层和所述绝缘层并连接到所述第二基底的沟道结构，所述虚设块之中的至少一个源极接触块包括位于所述第二基底上的第一虚设绝缘区域以及沿所述第一方向延伸、穿透所述第一虚设绝缘区域并连接到所述第二基底的源极接触件，并且所述源极接触件通过在所述单元区域的上部中沿所述第二方向延伸的金属布线连接到所述源极驱动器。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一虚设绝缘区域包括交替地堆叠在所述第二基底上的虚设牺牲层和所述绝缘层。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述虚设块包括具有与所述源极接触块的结构不同的结构的位线接触块，其中，所述位线接触块中的每个包括位于所述第二基底上的第二虚设绝缘区域以及在所述第二虚设绝缘区域内沿所述第一方向延伸的虚设沟道结构。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述单元区域还包括沿所述第二方向且在所述沟道结构上方延伸同时连接到所述沟道结构的位线，其中，所述位线接触块包括连接到所述位线且沿所述第一方向延伸到所述外围电路区域的位线接触件。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述位线接触件连接到包括在所述外围电路区域中的页缓冲器。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述单元区域还包括沿所述第二方向延伸并且与所述位线处于同一高度的虚设位线，其中，所述虚设位线提供连接到所述源极接触件的所述金属布线。7.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：边缘源极接触件，与所述第二基底的边缘之中的沿与所述第二方向相交的第三方向延伸的第一边缘和第二边缘中的一个相邻，并且沿所述第一方向延伸且连接到所述第二基底。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述边缘源极接触件的数量大于所述至少一个源极接触块中的所述源极接触件的数量。9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述源极驱动器与所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个相邻。10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述虚设块之中的在所述第二方向上最靠近所述第一边缘的虚设块与所述第一边缘之间的距离大于在所述第二方向上彼此最靠近的一对虚设块之间的距离。
11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电路元件、所述栅电极层和所述沟道结构在所述第一方向上位于所述第一基底与所述第二基底之间。12.一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括提供源极驱动器、行解码器和页缓冲器的电路元件；以及单元区域，在第一方向上位于所述外围电路区域上并且包括沿与所述第一方向相交的第二方...
【专利技术属性】
技术研发人员：金玧志，金胜渊，南尚完，全哄秀，赵志虎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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