体声波谐振器制造技术

本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；腔，限定在所述基板与所述谐振部之间；以及散热部，设置在所述腔中并支撑所述谐振部。所述第二电极包括第一区域和第二区域，所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度，并且所述第二区域设置在所述散热部上方。部上方。部上方。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器
[0001]本申请要求于2020年10月16日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0134449号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]以下描述涉及一种体声波谐振器。

技术介绍

[0003]根据无线通信装置的小型化趋势，高频率组件的小型化技术已经被积极地需要。作为示例，存在使用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器型滤波器。
[0004]体声波(BAW)谐振器是指利用沉积在硅晶圆(半导体基板)上的压电介电材料的压电特性产生谐振并且被实现为滤波器的薄膜型元件。
[0005]对5G通信技术的兴趣已经增加，并且已经积极进行了可在候选频带中实现的体声波谐振器的技术开发。
[0006]然而，在使用低于6GHz(4GHz至6GHz)频带的5G通信的情况下，带宽增加并且通信距离缩短，使得体声波谐振器的信号强度或功率可能增加。
[0007]当体声波谐振器的功率增加时，谐振部的温度倾向于线性升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：基板；谐振部，包括顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；腔，限定在所述基板与所述谐振部之间；以及散热部，设置在所述腔中并支撑所述谐振部，其中，所述第二电极包括第一区域和第二区域，所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度，并且所述第二电极的所述第二区域设置在所述散热部上方。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极包括在所述第一区域和所述第二区域之间的边界处的倾斜表面。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述散热部结合到所述谐振部，并且所述第二电极的所述第二区域的面积大于所述散热部的结合到所述谐振部的结合表面的面积，并且所述散热部设置为使得整个所述结合表面面向所述第二电极的所述第二区域。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述散热部包括具有一端结合到所述谐振部并且另一端结合到所述基板的柱状的导热部。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述散热部包括围绕所述导热部的侧表面的蚀刻停止层。6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述导热部包括具有高于所述蚀刻停止层的热导率的热导率的材料。7.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极的所述第一区域与所述第二电极的所述第二区域之间的边界在平行于所述谐振部的表面的方向上与所述散热部的侧表面间隔开预定距离。8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中，从所述散热部的所述侧表面到所述第二电极的所述第一区域和所述第二电极的所述第二区域之间的所述边界的水平距离是λ/4或λ/4的整数倍，其中，λ是从所述谐振部传播到所述散热部的横向波的波长。9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极包括在所述第一区域和所述第二区域之间的边界处的垂直表面或台阶表面。10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极的所述第二区域具有沿着所述散热部的轮廓的环形圈形状。11.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁大勳，柳廷勳，金锺云，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：