【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
[0001]本申请涉及滤波器
,具体而言,涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
[0002]薄膜体声波滤波器利用压电晶体的压电效应产生谐振,由于谐振由机械波产生,而非电磁波作为谐振来源,机械波的波长比电磁波波长短很多。因此,薄膜体声波滤波器及其组成的谐振器体积相对传统的电磁滤波器尺寸大幅度减小。另一方面,由于压电晶体的晶向生长目前能够良好控制,谐振器的损耗极小,品质因数高,能够应对陡峭过渡带和低插入损耗等复杂设计要求。由于薄膜体声波滤波器具有的尺寸小、高滚降、低插损等特性,以此为核心的滤波器在通讯系统中得到了广泛的应用。
[0003]现有薄膜体声波滤波器为了提高性能引入了电容结构,其在设置时,通常使得电容结构和薄膜体声波谐振器呈平面分布,如此,导致在后续滤波器的搭建过程中,增大了整个器件面积,导致封装难度较大。
技术实现思路
[0004]本申请的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,以解决现有引入电容结构的薄膜体声 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的下电极、压电层、上电极和电容结构,所述电容结构与所述上电极连接。2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电层背离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域,所述电容结构包括第一极板、第二极板以及位于所述第一极板和所述第二极板之间的介质层,所述上电极和所述第一极板依次层叠于所述第一区域,所述第一极板与所述上电极连接,所述第二极板位于所述第二区域。3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括第一槽,所述第一槽从所述第二区域的表面延伸至所述下电极表面;所述第二极板包括位于所述第二区域表面且与所述第一极板配合的本部和填充于所述第一槽内的导电部,以将所述下电极和所述本部连接。4.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括:覆盖于所述第一极板、所述第二极板和所述介质层上的封装盖板,在所述封装盖板覆盖所述第一极板、所述第二极板和所述介质层的表面设置有第二槽,所述第一极板部分设置在所述第二槽的第一侧壁,所述第二极板部分设置在所述第二槽内与所述第一侧壁相对的第二侧壁,所述介质层填充于所述第二槽内且位于所述第一侧壁和所述第二侧壁之间以将所述第一极板与所述第二极板隔离。5.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,在所述衬底上还设置有位于所述下电极下方的第三槽。6.一种薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上依次形成下电极、压电层和上电极;在所述上电极上制作电容结构,所述电容结构与所述上电极连接。...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙开祥,孙博文,国世上,蔡耀,孙成亮,刘炎,罗天成,
申请(专利权)人:武汉敏声新技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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