图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法，以改善现有技术在制作高分辨率有机电致发光显示器件时，存在牺牲层难于去除，且去除过程中容易损伤量子点发光层，致使量子点发光器件效率较低的问题。所述图案化量子点发光层的制作方法，包括：在衬底基板的一侧形成牺牲层；在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；在图案化的所述光刻胶层的遮挡下，对所述牺牲层刻蚀；在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成量子点膜层；在预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞；溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层。点发光层。点发光层。

【技术实现步骤摘要】
图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法。

技术介绍

[0002]高分辨率主动式电致量子点发光显示是量子点电致发光显示的一个发展方向。但现有技术在制作高分辨率有机电致发光显示器件时，存在牺牲层难于去除，且去除过程中容易损伤量子点发光层，致使量子点发光器件效率较低的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法，以改善现有技术在制作高分辨率有机电致发光显示器件时，存在牺牲层难于去除，且去除过程中容易损伤量子点发光层，致使量子点发光器件效率较低的问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种图案化量子点发光层的制作方法，包括：
[0005]在衬底基板的一侧形成牺牲层，其中，所述牺牲层包括第一组分，以及混合于所述第一组分内的第二组分，所述第二组分在预设条件下分解产生气泡，使所述第一组分形成孔洞；
[0006]在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；
[0007]在图案化的所述光刻胶层的遮挡下，对所述牺牲层刻蚀，形成所述牺牲层的图案；
[0008]在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成量子点膜层；
[0009]在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞；
[0010]通过溶液溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述第一组分的材质为醇溶性高分子材料。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述第一组分的材质包括：聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述第二组分的材质为加热分解产生气体的小分子材料。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述第二组分的材料包括以下之一或组合：
[0015][0016]在一种可能的实施方式中，所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：
[0017]加热所述牺牲层，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述第二组分的材料包括
[0019]所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：
[0020]所述第二组分发生如下反应过程：
[0021][0022]在一种可能的实施方式中，所述第二组分的材料包括
[0023]所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：
[0024]所述第二组分发生如下反应过程：
[0025][0026]在一种可能的实施方式中，所述第二组分的材料包括
[0027]所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：
[0028]所述第二组分发生如下反应过程：
[0029][0030]在一种可能的实施方式中，所述在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层，包括：
[0031]在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的负性光刻胶层。
[0032]在一种可能的实施方式中，所述通过溶液溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层，包括：
[0033]将形成有所述发光膜层的所述衬底基板仅浸泡在醇溶液中，溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层。
[0034]在一种可能的实施方式中，所述将形成有所述发光膜层的所述衬底基板仅浸泡在醇溶液中，包括：
[0035]将形成有所述发光膜层的所述衬底基板仅浸泡在乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇或异丁醇等中。
[0036]基于同一专利技术构思，本专利技术实施例还提供一种量子点发光器件的制作方法，包括：
[0037]在衬底基板的一侧形成第一电极；
[0038]在所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧形成第二电极；
[0039]其中，在衬底基板的一侧形成第一电极之后，以及在所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧形成第二电极之前，所述制作方法还包括：采用如本专利技术实施例提供的所述制作方法形成图案化的量子点发光层。
[0040]本专利技术实施例有益效果如下：本专利技术实施例中，提出一种新的牺牲层材料体系，牺牲层包括第一组分，以及混合于第一组分内的第二组分，第二组分在预设条件下分解产生气泡，使第一组分内产生气泡并膨胀，破坏第一组分的膜层结构，使其疏松、带有空洞，从而在剥离去除(lift-off)牺牲层时，溶剂分子容易进入第一组分内，并溶解第一组分，从而实现不需要超声即可剥离去除牺牲层，提高量子点发光层的膜层质量，提高量子点发光器件效率和稳定性。
附图说明
[0041]图1为本专利技术实施例提供的一种量子点发光膜层的制作流程示意图；
[0042]图2为本专利技术实施例提供的一种具体的量子点发光膜层的制作流程示意图。
具体实施方式
[0043]为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0044]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0045]为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
[0046]参见图1，本专利技术实施例提供一种图案化量子点发光层的制作方法，包括：
[0047]步骤S100、在衬底基板的一侧形成牺牲层，其中，牺牲层包括第一组分，以及混合于第一组分内的第二组分，第二组分在预设条件下分解产生气泡，使第一组分形成孔洞；具体的，牺牲层的厚度可以为200nm-500nm。
[0048]步骤S200、在牺牲层的背离衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；
[0049]步骤S300、在图案化的光刻胶层的遮挡本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图案化量子点发光层的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧形成牺牲层，其中，所述牺牲层包括第一组分，以及混合于所述第一组分内的第二组分，所述第二组分在预设条件下分解产生气泡，使所述第一组分形成孔洞；在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；在图案化的所述光刻胶层的遮挡下，对所述牺牲层刻蚀，形成所述牺牲层的图案；在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成量子点膜层；在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞；通过溶液溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一组分的材质为醇溶性高分子材料。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一组分的材质包括：聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮。4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二组分的材质为加热分解产生气体的小分子材料。5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二组分的材料包括以下之一或组合：合：6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：加热所述牺牲层，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二组分的材料包括所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：所述第二组分发生如下反应过程：8.如权利要求6所述的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：