半导体激光器装置制造方法及图纸

低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为ｎ１及膜厚为ｄ１的第１介质膜、折射率为ｎ２及膜厚为ｄ２的第２介质膜、折射率为ｎ３及膜厚为ｄ３的第３介质膜、折射率为ｎ４及膜厚为ｄ４的第４介质膜形成，具体地，第１介质膜上使用折射率ｎ１＝１．６３８的氧化铝Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、在第２介质膜及第４介质膜上使用折射率ｎ２＝ｎ４＝１．４８９的氧化硅ＳｉＯ↓［２］、在第３介质膜上使用折射率ｎ３＝２．０６３的氧化钽Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在光射出面上设置了介质反射膜的半导体激光器装置。
技术介绍
在半导体激光器中，通常，在通过分离晶片(wafer)所获得的谐振器的端面上形成介质膜。通过任意选择形成于该端面的该介质的种类、膜厚、层数，从而能够形成获得了期望的反射率的反射率控制膜。譬如，可通过降低射出激光的前端面的反射率并提高后端面的反射率来获得较高的输出功率。但是，仅仅依靠降低前端面的反射率值并不是优选方式，而是需要根据使用半导体激光器的用途，即根据所要求的特性来选择其反射率。例如，在高输出功率的半导体激光器中，其光射出前端面的反射率大约为3％～15％。若想获得7％的反射率，则反射率的可控性需在6％±1％范围内。通常，在半导体激光器中，射出激光的前端面的反射率受由Al2O3或SiO2等构成的单层介质膜的厚度和折射率控制。附图23是表示现有的半导体激光器装置的一例的结构图。激光器芯片(laser chip)由GaAs等半导体衬底1、活性层2、形成于活性层2的上方及下方的覆盖(clad)层3、以及形成于覆盖层3的上方及下方的电极4构成。半导体激光器装置由上述激光器芯片、形成在激光器前端面的低反射膜8、形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器装置，在激光器芯片的两个端面上分别具有高反射膜和低反射膜，其特征在于，该低反射膜由多层介质膜构成，并且从与激光器芯片接触的一侧开始，依次包括：折射率为ｎ１的第１介质膜、折射率为ｎ２的第２介质膜、折射率为ｎ３的第３介质 膜、折射率为ｎ４的第４介质膜，各折射率满足ｎ２＝ｎ４＜ｎ３＜ｎ１的关系。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松冈裕益，国次恭宏，西口晴美，八木哲哉，中川康幸，堀江淳一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]