一种日盲光探测器以及成像装置制造方法及图纸

本公开实施例提出了一种日盲光探测器以及成像装置，所述日盲光探测器包括衬底，在所述衬底上从上到下分别设置第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置β

【技术实现步骤摘要】
一种日盲光探测器以及成像装置


[0001]本公开涉及一种光电装置的
，特别地涉及一种日盲光探测器和成像装置。

技术介绍

[0002]紫外光的波长范围在10
‑
400nm之间，通常被分为四个波段，包括UV
‑
A波段(400
‑
315nm)、UV
‑
B波段(315
‑
280nm)、UV
‑
C波段(280
‑
200nm)和EUV波段(200
‑
10nm)，其中，太阳光中的UV
‑
C波段的紫外光在穿过地球臭氧层时几乎被完全吸收，很难到达地球表面，因此，这个波段的紫外光又被称为日盲光，工作在该波段区域的光探测器被称为日盲光探测器。
[0003]由于在地表极少存在日盲光，日盲光探测器具有不受太阳光干扰、低背景噪声和高分辨能力等特点。例如在导弹及战斗机发动机的尾焰中会包含日盲光，因此，这里的所述日盲光探测器在例如军事领域中尤其是导弹预警、战机跟踪监测等方面展现出极大的应用潜力。同时，这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种日盲光探测器，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上从上到下分别设置第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置β
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Ga2O3薄膜，所述第一电极与所述β
‑
Ga2O3薄膜之间形成第一接触，所述第二电极与所述β
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Ga2O3薄膜之间形成第二接触，所述第一接触和所述第二接触位于所述衬底的垂直方向上。2.根据权利要求1所述的日盲光探测器，其特征在于，当所述β
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Ga2O3薄膜为本征半绝缘的薄膜时，所述第一接触和所述第二接触为欧姆接触或者肖特基接触。3.根据权利要求1所述的日盲光探测器，其特征在于，当所述β
‑
Ga2O3薄膜为n型导电的薄膜时，所述第一接触为欧姆接触，所述第二接触为肖特基接触。4.根据权利要求1所述的日盲光探测器，其特征在于，所述衬底采用蓝宝石制成。5.根据权利要求1所述的日盲光探测器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋彤，孔玮，李军帅，
申请(专利权)人：西湖大学，
类型：发明
国别省市：