【技术实现步骤摘要】
一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备
[0001]本专利技术属于半导体领域,涉及拉晶控制技术,具体涉及一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备。
技术介绍
[0002]单晶硅是目前半导体行业的初始材料,因此其质量控制显得尤为重要。在制备单晶硅的过程中,晶棒拉制需要维持稳定的状态,以保证籽晶长晶不会发生大的晃动。因此,需要在拉晶过程中,实时观测晶棒的空间状态。
[0003]然而,目前晶棒的观测主要是靠人工,通过视窗观察籽晶与硅料熔化液面处的空间位置状态判定晶棒是否发生倾斜或晃动。该方法人工疲劳且难于保证持久的稳定高精度观测,这将导致晶棒晃动、尤其是微观晃动漏查或不可查,难于保证拉晶质量。
[0004]因此,亟需一种自动化或智能化的晶棒晃动值实时监测方法和系统,以保证拉晶的稳定性和拉晶质量。
技术实现思路
[0005]为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备,其能解决上述问题。
[0006]一种基于直线拟合的拉晶晃动监测方法,方法包括:
[0007]S1、采集图像并判定当前拉晶阶段,通过监测相机多次曝光采集拉晶炉内图像;
[0008]S2、根据拉晶阶段定位区域R;
[0009]S3、提取目标轮廓;
[0010]S4、直线拟合,对目标轮廓直线拟合获得拟合直线;
[0011]S5、计算晃动值S。
[0012]进一步的,晃动值检测的拉晶阶段包括单双光圈阶段、饱满点直径阶段 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于直线拟合的拉晶晃动监测方法,其特征在于,方法包括:S1、采集图像并判定当前拉晶阶段,通过监测相机多次曝光采集拉晶炉内图像;S2、根据拉晶阶段定位区域R;S3、提取目标轮廓;S4、直线拟合,对目标轮廓直线拟合获得拟合直线;S5、计算晃动值S。2.根据权利要求1所述的拉晶晃动监测方法,其特征在于,方法包括:晃动值检测的拉晶阶段包括单双光圈阶段、饱满点直径阶段、引晶阶段、放肩阶段和等径阶段。3.根据权利要求2所述的拉晶晃动监测方法,其特征在于:当拉晶阶段判定为单双光圈阶段或饱满点直径阶段,定位区域R为选取粗圆柱区域R1和其中心(x,y),目标轮廓为根据粗圆柱区域R1和筛选出的左侧轮廓C
L
和右侧轮廓C
R
,晃动值S为根据两侧轮廓获得的两拟合直线与X轴夹角的均值。4.根据权利要求3所述的拉晶晃动监测方法,其特征在于,当拉晶阶段判定为单双光圈阶段或饱满点直径阶段,步骤S3中两条侧轮廓的提取方法包括:S31、截取圆柱区域R1的部分圆柱区域R3:首先根据晶棒图像中心(x,y)生成一个合适的矩形区域R2,粗圆柱区域R1与运算矩形区域R2,获得部分圆柱区域R3,与运算公式为:R3=R1∩R2,
……………………………………
式1;S32、按border样图走线方式得到区域R3的轮廓C;S33、根据角度将左侧轮廓C
L
和右侧轮廓C
R
筛选出来。5.根据权利要求3所述的晶棒晃动监测方法,其特征在于,当拉晶阶段判定为单双光圈阶段或饱满点直径阶段,步骤S4中两侧直线的拟合方法包括:S41、获取左侧轮廓C
L
和右侧轮廓C
R
上的点(x
i
,y
i
),i为大于等于2的正整数;S42、分别对两侧轮廓上的点最小二乘法直线拟合。6.根据权利要求3所述的晶棒晃动监测方法,其特征在于,当拉晶阶段判定为单双光圈阶段或饱满点直径阶段,步骤S5中晃动值S的计算方法为:S51、计算左侧直线L
L
和右侧直线L
R
分别与x轴的角度得到左侧夹角Angle
L
和右侧夹角Angle
R
,;S52、均值获得晃动值S:S=(Angle
L
+Angle
R
)/2
………………………………
式2。7.根据权利要求2所述的拉晶晃动监测方法,其特征在于:当拉晶阶段判定为引晶阶段,定位区域R为选取细圆柱区域R4;提取的轮廓为根据角度筛选的近似垂直轮廓C
v
,晃动值S为根据近似垂直轮廓的拟合直线L
...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨君,董志文,何开振,庄再城,胡方明,纪步佳,杨国炜,马旭,曹葵康,薛峰,
申请(专利权)人:苏州天准软件有限公司,
类型:发明
国别省市:
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