【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶炉体中实测液口距的装置
[0001]本技术涉及光伏半导体制造
,尤其涉及一种用于单晶炉体中实测液口距的装置。
技术介绍
[0002]随着单晶炉体的不断变大,投炉量越来越大,漏硅危险系数也越来越高,传统的做法一般采用CCD检测仪来观察硅液情况,将物体的外观通过显示器来检测,然后通过工作人员实时关注CCD的检测结果及炉内实际情况,但是,当CCD检测失效时,人员无法及时判断,极易出现安全事故。
技术实现思路
[0003]本技术目的就是为了解决现有单晶炉体中硅液情况无法准确判断的问题,提供了一种用于单晶炉体中实测液口距的装置,采用双检测系统,使检测数据更加精准,及时预警液口距变化幅度,降低漏硅风险,提高单晶炉运行的安全性。
[0004]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0005]一种用于单晶炉体中实测液口距的装置,包括坩埚本体,坩埚本体内设有硅溶液,硅溶液的上表面形成水平的操作液面,坩埚本体的上方还设有导流筒,导流筒正对着硅溶液的上方设置。
[0006]坩埚本体外设有一个保护罩,保护罩的上方设有观察窗口,观察窗口上连接一组CCD探测仪和一组超声测距仪,CCD探测仪和超声测距仪均正对着硅溶液设置,以用于实时监测液口距的变化。
[0007]进一步地,所述超声测距仪包括相互配合的超声波发送器和超声波接收器,超声波发送器和超声波接收器均通过数据传输线与控制器相连。
[0008]进一步地,所述导流筒与坩埚本体的轴线相互重合。
[0009]进一步 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶炉体中实测液口距的装置,包括坩埚本体(1),坩埚本体(1)内设有硅溶液(2),硅溶液(2)的上表面形成水平的操作液面(2a),坩埚本体(1)的上方还设有导流筒(3),导流筒(3)正对着硅溶液(2)的上方设置,其特征在于:坩埚本体(1)外设有一个保护罩(4),保护罩(4)的上方设有观察窗口(4a),观察窗口(4a)上连接一组CCD探测仪(5)和一组超声测距仪(6),CCD探测仪(5)和超声测距仪(6)均正对着硅溶液(2)设置。2.根据权利要求1所述的用于单晶炉体中实测液口距的装置,其特征在于:所述超声测距仪(6)包括相互配合的超声波发送器和超声波接收器,超声波发送器和超声波接收器均通过数据传输线与控制器相连。3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘云平,王军磊,王艺澄,
申请(专利权)人:包头美科硅能源有限公司,
类型:新型
国别省市:
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