单双光圈的检测方法、存储介质、终端和拉晶设备技术

本发明专利技术提供了一种单双光圈的检测方法、存储介质、终端和拉晶设备，属于半导体领域，方法包括图像采集、单双光圈判定和单双光圈直径测量；拉晶设备包括炉体、旋转坩埚、拉晶单元、状态监测单元、加料器和控制器，控制器用于坩埚转速、拉晶绳运动、硅料熔态图像接收处理和加料需求的控制，并通过图像处理技术判断是否存在双光圈并计算光圈直径；本申请的方法简单有效，图像处理效率高，灵活设置的阈值对比判定双光圈的存在并测量其直径，为拉晶过程中晶棒的稳定成像提供了判定依据，便于在半导体制造领域推广应用。领域推广应用。领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】
单双光圈的检测方法、存储介质、终端和拉晶设备


[0001]本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种单双光圈的检测方法、存储介质、 终端和拉晶设备。

技术介绍

[0002]单晶硅是目前半导体行业的初始材料，因此其质量控制显得尤为重要。在 制备单晶硅的过程中，单双光圈的判定及测量是重要环节。然而，行业内还未 有针对单双圈的判定及其直径测量的技术，因此，针对硅料熔化过程中拉晶的 图像特点，需要设计一种可靠、准确的单双光圈判定和测量方法。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种单双光圈的检测方 法、存储介质、终端和拉晶设备，其能解决上述问题。
[0004]一种拉晶过程中单双光圈的检测方法，方法包括：
[0005]S1、图像采集，通过晶炉相机采集炉内图像；
[0006]S2、单双光圈判定，通过图像算法处理技术判定是否存在双光圈；
[0007]S3、单双光圈直径测量，基于边缘检测技术获取光圈轮廓并求取轮廓直径。
[0008]进一步的，步骤S2包括：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶过程中单双光圈的检测方法，其特征在于，方法包括：S1、图像采集，通过晶炉相机采集炉内图像；S2、单双光圈判定，通过图像算法处理技术判定是否存在双光圈；S3、单双光圈直径测量，基于边缘检测技术获取光圈轮廓并求取轮廓直径。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤S2包括：S21、定位光圈区域R：S22、双光圈检测：根据光圈区域R得到对应位置的图像g2(x,y)，对其阈值处理得到双光圈区域R1；S23、双光圈判定：计算双光圈区域R1的面积A1,面积A1与双光圈面积判定阈值inAreaThreshold比较，以此判定是否为双光圈。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤S21的光圈区域R定位步骤包括：S211、根据设定ROI从原图g(x,y)得到ROI对应位置的图像g1(x,y)；S212、阈值分割求光圈区域R；式中：inLowThreshold为灰度低阈值inHighThreshold为灰度高阈值。S213、形态学处理光圈区域R以减少边缘区域干扰。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤S23中双光圈判定规则公式为：式中，A1为双光圈区域R1的面积，inAreaThreshold为双光圈面积判定阈值。5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤S3包括：S31、根据原图g(x,y)得到ROI对应位置的图像g1(x,y)；S32、定位光圈：S33、定位外光圈，求其轮廓C；S34、对轮廓C进行最小二乘法圆拟合，获得拟合圆直径D。6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，步骤S32的定位光圈包括：S321、对图像g1(x,y)进行阈值分割得到光圈区域R；S322、光圈区域R形态学处理：先闭操作平滑区域R＝R
·
d，再对R膨胀操作以保留边缘区域7.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，步骤S33包括：S331、去除定位好的光圈区域内光圈干扰和光圈尖角在轮廓筛选时的干扰，得到区域R1；S332、外光圈轮廓提取：采用canny边缘检测，并连接边缘得到轮廓，具体如下：
①
根据图像g1(x,y)得到R1对应位置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄再城，孙靖，何开振，董志文，杨君，胡方明，纪步佳，杨国炜，刘明星，曹葵康，薛峰，
申请(专利权)人：苏州天准软件有限公司，
类型：发明
国别省市：