零待机输入的开关电源电路制造技术

技术编号:33134911 阅读:28 留言:0更新日期:2022-04-17 00:58
本发明专利技术提供了一种零待机输入的开关电源电路,包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3,所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接,所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端,所述轻触开关K3的一端接地,所述轻触开关K3的另一端与所述MOS管Q52的栅极连接,所述三极管Q53的基极接负载MCU的IO口,所述三极管Q53的发射极接地,所述三极管Q53的集电极与所述MOS管Q52的栅极连接。本发明专利技术的有益效果是:实现了零待机输入,降低了功耗。降低了功耗。降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
零待机输入的开关电源电路


[0001]本专利技术涉及开关电源电路,尤其涉及一种零待机输入的开关电源电路。

技术介绍

[0002]低功耗设计(Low

Power Design)是许多设计人员必须面对的问题,其原因在于嵌入式系统被广泛应用于便携式和移动性较强的产品中去,而这些产品不是一直都有充足的电源供应,往往是靠电池来供电,所以设计人员从每一个细节来考虑降低功率消耗,从而尽可能地延长电池使用时间。事实上,从全局来考虑低功耗设计已经成为了一个越来越迫切的问题。
[0003]因此,如何提供一种零待机输入的开关电源电路,是本领域技术人员所亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中的问题,本专利技术提供了一种零待机输入的开关电源电路。
[0005]本专利技术提供了一种零待机输入的开关电源电路,包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3,所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接,所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端,所述轻触开关K3的一端接地,所述轻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种零待机输入的开关电源电路,其特征在于:包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3,所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接,所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端,所述轻触开关K3的一端接地,所述轻触开关K3的另一端与所述MOS管Q52的栅极连接,所述三极管Q53的基极接负载MCU的IO口,所述三极管Q53的发射极接地,所述三极管Q53的集电极与所述MOS管Q52的栅极连接,开机时,触发轻触开关K3,则MOS管Q52的栅极接收为低电平,MOS管Q52导通,电池J6向负载MCU供电,供电后,负载MCU启动工作,负载MCU的IO口向三极管Q53的基极输出高电平,使三极管Q53导通,则MOS管Q52保持导通,完成开动作;待机时,负载MCU进入待机模式,则负载MCU的IO口向三极管Q53的基极输出低电平,则三极管Q53不导通,则MOS管Q52也不导通,从而切断了电池J6的供电,实现零待机。2.根据权利要求1所述的零待机输入的开关电源电路,其特征在于:所述的零待机输入的开关电源电路还包括滤波电容CS55和滤波电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐文军胡自华
申请(专利权)人:深圳市富临通实业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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