脑干网状上行系统磁刺激仪技术方案

本发明专利技术属于医疗器械领域，尤其是脑干网状上行系统磁刺激仪，其包括外展形线圈和电场方向调控系统，所述外展形线圈和电场方向调控系统连接，本发明专利技术通过调控电场方向，从而可以调节脑干网状上行激动系统的活动增强与减弱，进一步控制大脑的意识水平。应用广泛，可以治疗非器质性睡眠障碍，应用心理障碍的催眠治疗，测谎仪，还可以解决司机长途驾驶过程中的犯困问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
脑干网状上行系统磁刺激仪


[0001]本专利技术涉及医疗器械
，尤其涉及脑干网状上行系统磁刺激仪。

技术介绍

[0002]数据显示，目前，全国有超3亿人存在睡眠障碍，其中，四分之三在晚上11点以后入睡，三分之一要熬到凌晨1点以后入睡，而在睡眠时长低于6小时的青少年儿童中，13岁到17岁的孩子占比高达89.5％。今年上半年，疫情导致的长时间居家，更加剧了这一状况，调查显示，虽然大部分人睡眠时间多了，但人们的睡眠时间整体延迟了2到3小时，对睡眠问题的搜索量也增长了43％；
[0003]随着心理治疗与心理咨询在社会生活中的普及，催眠治疗在心理治疗应用日益广泛。催眠时，在催眠师的诱导下，接受催眠者的意识由清醒变得恍惚，进而如醉如痴，其身体或柔若无骨而瘫软在地，或坚如木石而足以载人。在催眠师的指示下，被催眠者惟命是从，心无旁骛。催眠结束后，被催眠者由混沌状态逐渐恢复意识，好似大梦初醒，对刚才发生的一切印象模糊，恍如隔世；也可以应用于测谎；每年在交通事故中，因司机长途驾驶过程中，犯困睡觉导致车祸占很大比例，而且一旦发生都比较严重。要解决上述问题迫在眉睫。
[0004]经颅磁刺激(TMS)是一种利用脉冲磁场，作用于大脑中枢神经系统，改变大脑皮层神经细胞的膜电位，使之产生感应电流，影响脑内代谢和神经电活动，从而引起的一系列生理、生化反应的磁刺激技术。是一种无痛、无创的绿色治疗方法。
[0005]目前经颅磁刺激技术得到了广泛的使用，国内的经颅磁刺激技术达到世界先进水平，在神经心理科(抑郁症、精分症)、康复科、儿科(脑瘫，自闭症等)等各个方面都得到了应用。其中对抑郁症、睡眠障碍等疾病的疗效，作为一种非药物治疗在临床取得了可喜的成绩。
[0006]随着技术的发展，具有连续可调重复刺激的经颅磁刺激(rTMS)出现，并在临床精神病、神经疾病及康复领域获得越来越多的认可。它主要通过不同的频率来达到治疗目的，高频(>1Hz)主要是兴奋的作用，低频(≤1Hz)则是抑制的作用。因其无痛、非创伤的物理特性，实现人类一直以来的梦想—虚拟地损毁大脑探索脑功能及高级认知功能。与PET、FMRI、MEG并称为“二十一世纪四大脑科学技术”。

技术实现思路

[0007]本专利技术提出的脑干网状上行系统磁刺激仪，通过调控电场方向，从而可以调节脑干网状上行激动系统的活动增强与减弱，进一步控制大脑的意识水平。应用广泛，可以治疗非器质性睡眠障碍，应用心理障碍的催眠治疗，测谎仪，还可以解决司机长途驾驶过程中的犯困问题。
[0008]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0009]脑干网状上行系统磁刺激仪，包括外展形线圈和电场方向调控系统，所述外展形线圈和电场方向调控系统连接。
[0010]优选的，所述外展形线圈为底小顶大型结构。
[0011]优选的，所述外展形线圈用于产生底小顶大电场。
[0012]优选的，所述电场方向调控系统用于调控外展形线圈产生的电场的方向。
[0013]优选的，所述电场用于调节脑干网状上行激动系统的活动。
[0014]优选的，所述脑干网状上行激动系统由脑干联系大脑皮层，为底小顶大外形。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0016]脑干网状上行系统磁刺激仪通过调控电场方向，从而可以调节脑干网状上行激动系统的活动增强与减弱，进一步控制大脑的意识水平。应用广泛，可以治疗非器质性睡眠障碍，应用心理障碍的催眠治疗，测谎仪，还可以解决司机长途驾驶过程中的犯困问题。
[0017]本专利技术是对经颅磁创新及改进，改变了传统经颅磁线圈外形及作用靶点。
[0018]脑干网状上行系统磁刺激仪目前处于样品实验阶段，应用前景广泛，社会经济效益可观。
附图说明
[0019]图1为本专利技术提出的脑干网状上行系统磁刺激仪的经脑干网状系统磁刺激原理模式图；
[0020]图2为本专利技术提出的脑干网状上行系统磁刺激仪的电路图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0022]参照图1
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2，脑干网状上行系统磁刺激仪，包括外展形线圈和电场方向调控系统，所述外展形线圈和电场方向调控系统连接。
[0023]本实施例中，所述外展形线圈为底小顶大型结构。
[0024]本实施例中，所述外展形线圈用于产生底小顶大电场。
[0025]本实施例中，所述电场方向调控系统用于调控外展形线圈产生的电场的方向。
[0026]本实施例中，所述电场用于调节脑干网状上行激动系统的活动。
[0027]本实施例中，所述脑干网状上行激动系统由脑干联系大脑皮层，为底小顶大外形。
[0028]正常大脑一般处于觉醒和睡眠状态，大脑皮质的兴奋水平的高低，是由脑干网状上行激动系统来维持和调控，动物实验证明切断猫的脑干网状上行系统，猫长时间处于昏睡状态。所以，脑干网状上行激动系统的活动增高的话，就形成清晰的意识，反之，其活动下降的话，就将处于睡眠或昏睡状态。从而能够调节脑干网状上行系统的活动，就能调控意识水平。
[0029]脑干网状上行系统是由脑干联系大脑皮层，底小顶大外形，根据此外形设计外展形线圈，此线圈可产生底小顶大电场，通过调控电场方向，从而可以调节脑干网状上行激动系统的活动增强与减弱，进一步控制大脑的意识水平。
[0030]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.脑干网状上行系统磁刺激仪，包括外展形线圈和电场方向调控系统，其特征在于，所述外展形线圈和电场方向调控系统连接。2.根据权利要求1所述的脑干网状上行系统磁刺激仪，其特征在于，所述外展形线圈为底小顶大型结构。3.根据权利要求2所述的脑干网状上行系统磁刺激仪，其特征在于，所述外展形线圈用于产生底小顶大电场。4.根据权利要求1所述的脑...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱华，刘红，朱雨墨，
申请(专利权)人：朱华，
类型：发明
国别省市：