一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计制造技术

本发明专利技术公开了一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计，涉及MARK点制作图形设计领域，本发明专利技术包括MARK点1，MARK点1由横向绘图线2和纵向绘图线3组成，横向绘图线2和纵向绘图线3呈十字形交叉设置。本发明专利技术通过分段区303设置，使得在上纵向绘图线301和下纵向绘图线302组合成纵向绘图线3后与横向绘图线2配合时，不会出现重复雕刻区域，通过分段式进行绘制图形，可以有效的避免对硅片的二次伤害，大幅度的减少MARK点区域的隐裂问题，从而可以提升良率，避免MARK点中心区域二次激光雕刻导致MARK点区域硅片存在隐裂的情况，此种设计方案在现有激光掺杂设备上都是可以完全兼容，不会增加成本，且工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。影响正常生产。影响正常生产。

【技术实现步骤摘要】
一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计


[0001]本专利技术涉及MARK点制作图形设计领域，具体为一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计。

技术介绍

[0002]随着晶硅电池科学与技术的发展，PERC电池已经逐渐成为市场主流，在未来几年的发展中PERC电池及PERC叠加新技术电池会逐渐成熟，走向工业化生产，PERC叠加选择性发射极(SE)技术是一种有效的提升电池效率的技术路径，也是一种容易实现，耗费成本较低的一种技术手段，本专利中SE技术是通过激光掺杂技术实现的，其中激光掺杂图形Mark点是该技术的一个关键点。
[0003]在单晶PERC叠加选择性发射极技术(SE)的工艺流程中，根据丝网印刷工序的抓点定位的需求，选择性发射极技术在制作的过程中，需要制作出丝网印刷所需要的MARK点，常规MARK点(1)制作时，利用激光雕刻先雕刻出横向绘图线2，后雕刻出纵向绘图线3，从而会形成交叉点4(参见附图1)。
[0004]现有的常规MARK点的制作图形是直接由两条交叉线组成的(参见附图1)，该MARK点在利用激光雕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计，包括MARK点(1)，其特征在于：所述MARK点(1)由横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)组成，所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)呈十字形交叉设置。2.根据权利要求1所述的一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计，其特征在于：所述MARK点(1)是电路板设计中PCB应用于自动贴片机上的位置识别点，所述MARK点(1)应用于PERC叠加选择性发射极(SE)技术。3.根据权利要求1所述的一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计，其特征在于：所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)的长度一致，所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)的宽度一致。4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾玉婷，王琳琳，谢耀辉，张鹏，曹其伟，
申请(专利权)人：江西中弘晶能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：