像素结构制造技术

技术编号:33133082 阅读:20 留言:0更新日期:2022-04-17 00:53
一种像素结构,包括依序堆叠的第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层、第三半导体层及电极层。电极层的第一部通过第三半导体层的第一部的第一开口、第二有源层的第一部的第一开口、第二半导体层的第一部的第一开口及第一有源层的第一部的第一开口电性连接至第一半导体层的第一部。电极层的第二部通过第三半导体的第二部的第二开口及第二有源层的第二部的第二开口电性连接至第二半导体层的第二部。电极层的第三部电性连接至第三半导体层的第二部。导体层的第二部。导体层的第二部。

【技术实现步骤摘要】
像素结构


[0001]本专利技术涉及一种像素结构。

技术介绍

[0002]发光二极管显示面板包括驱动背板及被转置于驱动背板上的多个发光二极管元件。继承发光二极管的特性,发光二极管显示面板具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。此外,相较于有机发光二极管显示面板,发光二极管显示面板还具有色彩易调校、发光寿命长、无图像烙印等优势。因此,发光二极管显示面板被视为下一世代的显示技术。
[0003]一般而言,为使发光二极管显示面板能显示彩色画面,发光二极管显示面板的多个发光二极管元件包括用以显示第一颜色的多个第一发光二极管元件、用以显示第二颜色的多个第二发光二极管元件及用以显示第三颜色的多个第三发光二极管元件。然而,多个第一发光二极管元件、多个第二发光二极管元件及多个第三发光二极管元件是分别利用三个生长基板形成,再分别利用多次转置动作转置到驱动背板上,使得发光二极管显示面板的良率、成本及解析度的提升不易。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种性能佳像素结构。
[0005]本专利技术的像素结构,包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层、第三半导体层、电极层及驱动背板。第一半导体层具有第一部及第二部。第一有源层设置于第一半导体层上,且具有第一部及第二部。第一有源层的第一部及第二部分别设置于第一半导体层的第一部及第二部上。第一有源层的第一部具有第一开口,且第一有源层的第一部的第一开口重叠于第一半导体层的第一部。第二半导体层设置于第一有源层上,且具有第一部及第二部。第二半导体层的第一部及第二部分别设置于第一有源层的第一部及第二部上。第二半导体层的第一部具有第一开口,且第二半导体层的第一部的第一开口重叠于第一有源层的第一部的第一开口。第二有源层设置于第二半导体层上,且具有第一部及第二部。第二有源层的第一部及第二部分别设置于第二半导体层的第一部及第二部上。第二有源层的第一部及第二部分别具有第一开口及第二开口。第二有源层的第一部的第一开口重叠于第二半导体层的第一部的第一开口,且第二有源层的第二部的第二开口重叠于第二半导体层的第二部。第三半导体层设置于第二有源层上,且具有第一部及第二部。第三半导体层的第一部及第二部分别设置于第二有源层的第一部及第二部上。第三半导体层的第一部及第二部分别具有第一开口及第二开口。第三半导体层的第一部的第一开口重叠于第二有源层的第一部的第一开口,且第三半导体层的第二部的第二开口重叠于第二有源层的第二部的第二开口。电极层设置于第三半导体层上,且具有第一部、第二部及第三部。电极层的第一部通过第三半导体层的第一部的第一开口、第二有源层的第一部的第一开口、第二半导体层的第一部的第一开口及第一有源层的第一部的第一开口电性连接至第一半导体层的第一部。电极层的第二部通过第三半导体的第二部的第二开口及第二有源层的第二部
的第二开口电性连接至第二半导体层的第二部,且电极层的第三部电性连接至第三半导体层的第二部。电极层的第一部、第二部及第三部电性连接至驱动背板。
[0006]在本专利技术的一实施例中,上述的第二有源层的第一部的第一开口及第三半导体层的第一部的第一开口更重叠于第二半导体层的第一部,电极层还具有第四部,电极层的第四部通过第三半导体层的第一部的第一开口及第二有源层的第一部的第一开口电性连接至第二半导体层的第一部。
[0007]在本专利技术的一实施例中,上述的像素结构还包括第三有源层及第四半导体层。第一半导体层设置于第一有源层与第三有源层之间。第三有源层具有第一部及第二部,且第一半导体层的第一部及第二部分别设置于第三有源层的第一部及第二部上。第三有源层设置于第一半导体层与第四半导体层之间。第四半导体层具有第一部及第二部,且第三有源层的第一部及第二部分别设置于第四半导体层的第一部及第二部上。
[0008]在本专利技术的一实施例中,上述的第四半导体层还具有第三部;第三有源层还具有第三部,设置于第四半导体层的第三部上;第一半导体层还具有第三部,设置于第三有源层的第三部上;第一有源层还具有第三部,设置于第一半导体层的第三部上;第二半导体层还具有第三部,设置于第一有源层的第三部上;第二有源层还具有第三部,设置于第二半导体层的第三部上;第三半导体层还具有第三部,设置于第二有源层的第三部上;电极层还具有第五部,通过第三半导体层的第三部的第三开口、第二有源层的第三部的第三开口、第二半导体层的第三部的第二开口、第一有源层的第三部的第二开口、第一半导体层的第三部的第一开口及第三有源层的第三部的第一开口电性连接至第四半导体层的第三部。
[0009]在本专利技术的一实施例中,上述的电极层还具有第六部,通过第三半导体层的第三部的第三开口、第二有源层的第三部的第三开口、第二半导体层的第三部的第二开口及第一有源层的第三部的第二开口电性连接至第一半导体层的第三部。
[0010]在本专利技术的一实施例中,上述的像素结构还包括第一波长转换图案。第四半导体层的第三部设置于第三有源层的第三部与第一波长转换图案之间。第一有源层的第一部发出第一光束。第二有源层的第二部发出第二光束。第三有源层的第三部发出第三光束,第三光束穿过第一波长转换图案而被转换为第四光束。第一光束、第二光束及第四光束分别具有第一颜色、第二颜色及第三颜色。
[0011]在本专利技术的一实施例中,上述的第四半导体层还具有第四部;第三有源层还具有第四部,设置于第四半导体层的第四部上;第一半导体层还具有第四部,设置于第三有源层的第四部上;第一有源层还具有第四部,设置于第一半导体层的第四部上;第二半导体层还具有第四部,设置于第一有源层的第四部上;第二有源层还具有第四部,设置于第二半导体层的第四部上;第三半导体层还具有第四部,设置于第二有源层的第四部上;电极层还具有第七部,通过第三半导体层的第四部的第四开口、第二有源层的第四部的第四开口、第二半导体层的第四部的第三开口、第一有源层的第四部的第三开口、第一半导体层的第四部的第二开口及第三有源层的第四部的第二开口电性连接至第四半导体层的第四部。
[0012]在本专利技术的一实施例中,上述的电极层还具有第八部,通过第三半导体层的第四部的第四开口、第二有源层的第四部的第四开口、第二半导体层的第四部的第三开口及第一有源层的第四部的第三开口电性连接至第一半导体层的第四部。
[0013]在本专利技术的一实施例中,上述的像素结构还包括第二波长转换图案。第四半导体
层的第四部设置于第三有源层的第四部与第二波长转换图案之间。第一有源层的第一部发出第一光束。第二有源层的第二部发出第二光束。第三有源层的第四部发出第五光束,第五光束穿过第二波长转换图案而被转换为第六光束。第一光束、第二光束及第六光束分别具有第一颜色、第二颜色及第四颜色。
[0014]在本专利技术的一实施例中,上述的像素结构还包括第一波长转换图案,设置于第三半导体层的第三部的第三开口、第二有源层的第三部的第三开口、第二半导体层的第三部的第二开口及第一有源层的第三部的第二开口中。第一有源层的第一部发出第一光束,第二有源层的第二部发出第二光束,第三有源本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构,包括:一第一半导体层,具有一第一部及一第二部;一第一有源层,设置于该第一半导体层上,且具有一第一部及一第二部,其中该第一有源层的该第一部及该第二部分别设置于该第一半导体层的该第一部及该第二部上,该第一有源层的该第一部具有一第一开口,且该第一有源层的该第一部的该第一开口重叠于该第一半导体层的该第一部;一第二半导体层,设置于该第一有源层上,且具有一第一部及一第二部,其中该第二半导体层的该第一部及该第二部分别设置于该第一有源层的该第一部及该第二部上,该第二半导体层的该第一部具有一第一开口,且该第二半导体层的该第一部的该第一开口重叠于该第一有源层的该第一部的该第一开口;一第二有源层,设置于该第二半导体层上,且具有一第一部及一第二部,其中该第二有源层的该第一部及该第二部分别设置于该第二半导体层的该第一部及该第二部上,该第二有源层的该第一部及该第二部分别具有一第一开口及一第二开口,该第二有源层的该第一部的该第一开口重叠于该第二半导体层的该第一部的该第一开口,且该第二有源层的该第二部的该第二开口重叠于该第二半导体层的该第二部;一第三半导体层,设置于该第二有源层上,且具有一第一部及一第二部,其中该第三半导体层的该第一部及该第二部分别设置于该第二有源层的该第一部及该第二部上,该第三半导体层的该第一部及该第二部分别具有一第一开口及一第二开口,该第三半导体层的该第一部的该第一开口重叠于该第二有源层的该第一部的该第一开口,且该第三半导体层的该第二部的该第二开口重叠于该第二有源层的该第二部的该第二开口;一电极层,设置于该第三半导体层上,且具有一第一部、一第二部及第三部,其中该电极层的该第一部通过该第三半导体层的该第一部的该第一开口、该第二有源层的该第一部的该第一开口、该第二半导体层的该第一部的该第一开口及该第一有源层的该第一部的该第一开口电性连接至该第一半导体层的该第一部,该电极层的该第二部通过该第三半导体的该第二部的该第二开口及该第二有源层的该第二部的该第二开口电性连接至该第二半导体层的该第二部,且该电极层的该第三部电性连接至该第三半导体层的该第二部;以及一驱动背板,其中该电极层的该第一部、该第二部及该第三部电性连接至该驱动背板。2.如权利要求1所述的像素结构,其中该第二有源层的该第一部的该第一开口及该第三半导体层的该第一部的该第一开口更重叠于该第二半导体层的该第一部,该电极层还具有一第四部,该电极层的该第四部通过该第三半导体层的该第一部的该第一开口及该第二有源层的该第一部的该第一开口电性连接至该第二半导体层的该第一部。3.如权利要求1所述的像素结构,还包括:一第三有源层,其中该第一半导体层设置于该第一有源层与该第三有源层之间,该第三有源层具有一第一部及一第二部,且该第一半导体层的该第一部及该第二部分别设置于该第三有源层的该第一部及该第二部上;以及一第四半导体层,其中该第三有源层设置于该第一半导体层与该第四半导体层之间,该第四半导体层具有一第一部及一第二部,且该第三有源层的该第一部及该第二部分别设置于该第四半导体层的该第一部及该第二部上。4.如权利要求3所述的像素结构,其中该第四半导体层还具有一第三部;该第三有源层
还具有一第三部,设置于该第四半导体层的该第三部上;该第一半导体层还具有一第三部,设置于该第三有源层的该第三部上;该第一有源层还具有一第三部,设置于该第一半导体层的该第三部上;该第二半导体层还具有一第三部,设置于该第一有源层的该第三部上;该第二有源层还具有一第三部,设置于该第二半导体层的该第三部上;该第三半导体层还具有一第三部,设置于该第二有源层的该第三部上;该电极层还具有一第五部,通过该第三半导体层的该第三部的一第三开口、该第二有源层的该第三部的一第三开口、该第二半导体层的该第三部的一第二开口、该第一有源层的该第三部的一第二开口、该第一半导体层的该第三部的一第一开口及该第三有源层的该第三部的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈奕宏李佳安林冠亨
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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