提供了一种发光器件、其制造方法以及包括该发光器件的显示装置。发光器件包括：第一半导体层，掺杂有第一极性，并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧的第二部分；第二半导体层，掺杂有与第一极性不同的第二极性；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；以及绝缘膜，设置为至少包围活性层的外表面并且在第一方向上延伸，其中，第二部分的在垂直于第一方向的第二方向上测量的直径大于第一部分的在第二方向上测量的直径，并且第二部分的侧表面是倾斜的。并且第二部分的侧表面是倾斜的。并且第二部分的侧表面是倾斜的。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、用于其的制造方法和包括其的显示装置
[0001]公开涉及一种发光器件、用于该发光器件的制造方法以及包括该发光器件的显示装置。
技术介绍
[0002]随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器、液晶显示器等的各种类型的显示装置。
[0003]显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
[0004]使用无机半导体作为荧光材料的无机发光二极管具有即使在高温环境中也具有耐久性的优点，并且具有比有机发光二极管的蓝光效率高的蓝光效率。此外，在正如指出为常规无机发光二极管的缺点的制造工艺中，已经开发了使用介电泳(DEP)方法的转移方法。因此，已经对与有机发光二极管相比具有优异耐久性和效率的无机发光二极管进行了持续研究。
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]公开的方面提供了一种发光器件和一种制造该发光器件的方法，通过蚀刻半导体晶体来制造该发光器件并且该发光器件的两端具有不同的宽度。
[0007]公开的方面还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上发光器件，并且因此在发光器件与接触电极之间具有增大的接触面积。
[0008]应当注意，公开的方面不限于此，并且根据下面的描述，这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
[0009]技术方案
[0010]根据公开的实施例，一种发光器件包括：第一半导体层，掺杂有第一极性并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧的第二部分；第二半导体层，掺杂有与第一极性不同的第二极性；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；以及绝缘膜，围绕至少活性层的外表面并且在第一方向上延伸，其中，第二部分的在垂直于第一方向的第二方向上测量的直径大于第一部分的在第二方向上测量的直径，并且第二部分的侧表面是倾斜的。
[0011]绝缘膜可以围绕第一半导体层的第一部分的外表面，并且第二部分的侧表面可以被暴露而不接触绝缘膜。
[0012]第二部分的长度可以是发光器件的长度的约10％。
[0013]第二部分可以包括连接到第一部分的上表面和面对上表面的下表面，并且第二部
分的下表面的直径可以大于上表面的直径。
[0014]第一半导体层的第二部分的下表面的直径可以是第一半导体层的第一部分的直径的1.25倍至1.8倍。
[0015]第二部分的下表面可以具有750nm至900nm的直径。
[0016]第二部分的下表面的直径可以大于第一部分的直径与绝缘膜的厚度的总和。
[0017]第二部分的上表面的至少一部分可以接触绝缘膜。
[0018]由第二部分的下表面和侧表面形成的夹角可以在65度至80度的范围内。
[0019]发光器件还可以包括设置在第二半导体层上的电极层。
[0020]电极层的侧表面的一部分可以被暴露而不接触绝缘膜。
[0021]绝缘膜可以具有弯曲的外表面，使得绝缘膜的厚度沿着一个方向减小。
[0022]根据公开的实施例，一种制造发光器件的方法包括：准备基底并形成设置在基底上并包括第一半导体的半导体结构；通过部分地蚀刻半导体结构来形成多个孔和半导体晶体，所述多个孔使第一半导体的一部分暴露，半导体晶体包括第一半导体的一部分并且彼此间隔开；以及形成设置在半导体晶体的外表面和第一半导体的暴露的部分上的绝缘膜，并且把通过蚀刻绝缘膜和与所述多个孔叠置的第一半导体而形成的器件棒与基底分离。
[0023]器件棒中的每个可以包括：第一半导体层，包括在一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧并且具有比第一部分的直径大的直径的第二部分；活性层，设置在第一半导体层的第一部分上；以及第二半导体层，设置在活性层上。
[0024]半导体晶体中的每个可以包括第一半导体层的第一部分，并且在形成器件棒的步骤中，可以蚀刻沿着所述多个孔暴露的第一半导体以形成第一半导体层的第二部分，并且可以部分地去除绝缘膜以使半导体晶体的上表面暴露。
[0025]器件棒中的每个还可以包括设置在第二半导体层上的电极层。
[0026]根据公开的实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极和第二电极，第一电极设置在基底上，第二电极与第一电极间隔开；以及至少一个发光器件，设置在第一电极与第二电极之间并电连接到第一电极和第二电极，其中，发光器件可以在第一方向上延伸，并且一端的在垂直于第一方向的第二方向上测量的直径小于另一端的在第二方向上测量的直径。
[0027]发光器件可以包括：第一半导体层，包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧的第二部分；活性层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在活性层上；电极层，设置在第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕至少活性层的外表面并且在第一方向上延伸，其中，第二部分的在第二方向上测量的直径可以大于第一部分的在第二方向上测量的直径，并且第二部分的侧表面是倾斜的。
[0028]显示装置还可以包括：第一接触电极，接触第一电极和发光器件的所述一端；以及第二接触电极，接触第二电极和发光器件的所述另一端。
[0029]第二接触电极可以接触第一半导体层的第二部分，并且形成与第二部分的下表面接触的第一接触表面和与第二部分的侧表面接触的第二接触表面，并且第一接触电极可以接触电极层的上表面以形成第三接触表面。
[0030]第一接触表面的面积可以大于第三接触表面的面积。
[0031]第一接触表面和第二接触表面可以彼此不平行。
[0032]发光器件的绝缘膜可以部分地围绕电极层的侧表面，并且第一接触电极可以接触
电极层的暴露的侧表面。
[0033]第一接触电极和第二接触电极中的每个可以部分地接触发光器件的绝缘膜。
[0034]其他实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
[0035]有益效果
[0036]在根据实施例的发光器件中，一端可以具有比另一端的直径大的直径，并且半导体层的侧表面可以在所述一端处被部分地暴露。发光器件的半导体层可以包括下表面和倾斜的侧表面，以与显示装置的接触电极形成宽接触表面。
[0037]因此，包括以上发光器件的显示装置可以减小接触电极与发光器件之间的接触电阻，从而改善发光器件的电特性和发光效率。
[0038]根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
[0039]图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
[0040]图2是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
[0041]图3是图2的子像素的平面图；
[0042]图4是沿着图3的线Xa
‑
Xa'、Xb...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一半导体层，掺杂有第一极性并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到所述第一部分的一侧的第二部分；第二半导体层，掺杂有与所述第一极性不同的第二极性；活性层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及绝缘膜，围绕至少所述活性层的外表面并且在所述第一方向上延伸，其中，所述第二部分的在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的直径大于所述第一部分的在所述第二方向上测量的直径，并且所述第二部分的侧表面是倾斜的。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘膜围绕所述第一半导体层的所述第一部分的外表面，并且所述第二部分的所述侧表面被暴露而不接触所述绝缘膜。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第二部分的长度是所述发光器件的长度的约10％。4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第二部分包括连接到所述第一部分的上表面和面对所述上表面的下表面，并且所述第二部分的所述下表面的直径大于所述上表面的直径。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的所述第二部分的所述下表面的所述直径是所述第一半导体层的所述第一部分的所述直径的1.25倍至1.8倍。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第二部分的所述下表面具有750nm至900nm的直径。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二部分的所述下表面的所述直径大于所述第一部分的所述直径与所述绝缘膜的厚度的总和。8.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第二部分的所述上表面的至少一部分接触所述绝缘膜。9.根据权利要求4所述的发光器件，其中，由所述第二部分的所述下表面和所述侧表面形成的夹角在65度至80度的范围内。10.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括设置在所述第二半导体层上的电极层。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述电极层的侧表面的一部分被暴露而不接触所述绝缘膜。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述绝缘膜具有弯曲的外表面，使得所述绝缘膜的厚度沿着所述一个方向减小。13.一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：准备基底并且形成设置在所述基底上并包括第一半导体的半导体结构；通过部分地蚀刻所述半导体结构来形成多个孔和半导体晶体，所述多个孔使所述第一半导体的一部分暴露，所述半导体晶体包括所述第一半导体的一部分并且彼此间隔开；以及形成设置在所述半导体晶体的外表面和所述第一半导体的暴露的所述一部分上的绝缘膜，并且把通过蚀刻所述绝缘膜和与所述多个孔叠置的所述第一半导体而形成的器件棒
与所述基底分离。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述器件棒中的每个包括：第一半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：车炯来，金东旭，金明姬，金世咏，赵显敏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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