【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高功率半导体激光器，特别是一种高功率高亮度半导体激光器组件。
技术介绍
高功率半导体激光器具有体积小、效率高、阈值低、工作寿命长等优点，用于作为固体激光器泵浦光源或直接光源已进入战术军用武器装备研制系统，具有千瓦级的高功率半导体激光器阵列也直接进入了工业应用，而高功率半导体激光器组件具有发散角大、光束质量差等缺点，从而在一定程度上限制了在材料处理、泵浦固体激光器、光纤激光器等领域的应用。为了提高半导体激光器组件的输出功率密度，常采用较小半导体激光器间距来组装高功率半导体激光器组件模块，如果一味的减小间距，不但给封装工艺操作带来了困难，而且对其散热能力、工作寿命也是一个挑战，同时如果组件模块中半导体激光器的间距较小，该组件模块就不易在高占空比或连续波条件下工作；还有用光束组束的方法来提高半导体激光器组件模块的输出功率和光功率密度，但是此方法需要比较复杂的光学系统和较小的封装容差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种高功率高亮度半导体激光器组件，该组件应具有输出功率大、功率密度高、结构简单、成本低廉、容易实现等优点。本专利...
【技术保护点】
一种高功率高亮度半导体激光器组件，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的Ｐ面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的Ｐ面由半导体激光器的正极引出，管芯的Ｎ面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：辛国锋，瞿荣辉，程灿，皮浩洋，陈高庭，方祖捷，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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