一种微发光二极管制备方法及微发光二极管技术

本申请公开了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，涉及半导体技术领域。微发光二极管制备方法包括：提供或制备外延层；在外延层的一侧表面制备透明导电层；刻蚀透明导电层和外延层，并获得台面结构和发光凸台，发光凸台上保留透明导电层；进行第一次退火处理，使透明导电层与发光凸台欧姆接触；清洗外延层，以清除外延层表面的晶粒凸起；在台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使第一电极层与台面结构欧姆接触；在透明导电层一侧表面制作第二电极层。本申请提供的微发光二极管制备方法可使电极层与外延层具有良好的欧姆接触，延长微发光二极管使用寿命。延长微发光二极管使用寿命。延长微发光二极管使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管制备方法及微发光二极管


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种微发光二极管制备方法及微发光二极管。

技术介绍

[0002]由于微发光二极管(Micro
‑
Light Emitting Diode，Micro
‑
LED)具有高亮度、高分辨率等诸多优点，使得Micro
‑
LED越来越多地被应用于显示领域。
[0003]然而，现有的Micro
‑
LED制备方法很难实现电极与外延层的欧姆接触，使得现有的Micro
‑
LED存在发热严重等问题，进而影响Micro
‑
LED的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，可改善电极层与外延层的欧姆接触，延长微发光二极管的使用寿命。
[0005]第一方面，本申请提供了：
[0006]一种微发光二极管制备方法，包括：
[0007]提供或制备外延层；
[0008]在所述外延层的一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管制备方法，其特征在于，包括：提供或制备外延层；在所述外延层的一侧表面制备透明导电层；刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层；进行第一次退火处理，使所述透明导电层与所述发光凸台欧姆接触；清洗所述外延层，以清除所述外延层表面的晶粒凸起；在所述台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使所述第一电极层与所述台面结构欧姆接触；在所述透明导电层一侧表面制作第二电极层。2.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，通过溅射蒸镀方法在所述外延层的一侧表面制备所述透明导电层。3.根据权利要求1所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层包括：通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述透明导电层，并通过台阶仪测试所述透明导电层的刻蚀深度，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1至10:1；通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述外延层，以获得所述台面结构和所述发光凸台，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1至10:1。4.根据权利要求3所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明导电层和所述外延层，并获得台面结构和发光凸台，所述发光凸台上保留所述透明导电层包括：通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述透明导电层，并通过台阶仪测试所述透明导电层的刻蚀深度，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为5:1；通过电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀所述外延层，以获得所述台面结构和所述发光凸台，其中，氯气与三氯化硼的摩尔比为1:1。5.根据权利要求1、3和4中任一项所述的微发光二极管制备方法，其特征在于，所述外延层包括依次层叠设置的P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述台面结构形成于所述N型半导体层，所述发光凸台由所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张珂，陈家华，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：