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本申请公开了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，涉及半导体技术领域。微发光二极管制备方法包括：提供或制备外延层；在外延层的一侧表面制备透明导电层；刻蚀透明导电层和外延层，并获得台面结构和发光凸台，发光凸台上保留透明导电层；进行第一次退火...
该专利属于深圳市思坦科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市思坦科技有限公司授权不得商用。

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