一种RC-IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构制造技术

本发明专利技术公开了一种RC

【技术实现步骤摘要】
一种RC
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IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件抗辐射加固技术，具体涉及一种RC
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IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构。

技术介绍

[0002]粒子辐射是影响功率器件的重要原因。功率器件在空间应用中受到粒子辐射之后会引发器件内部产生大量的电子空穴对，在内部的高强电场的作用下，产生的电子和空穴都将被传输到器件的两端，由此产生一种非稳态电流。如果电流过大，就可能导致器件由于焦耳热而导致烧毁，即单粒子烧毁效应。
[0003]RC
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IGBT作为一种新型的功率器件，将栅极控制、大电流、反向导通的优势表现出来，在关断瞬态期间，RC
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IGBT的N型集电区为漂移区残留的载流子提供了一条快速抽走的通道，可以大大减少关断时间。因此，RC
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IGBT是一种非常有希望成为未来可以替代IGBT产品的一种器件结构。然而，RC
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IGBT固有的一种存在于输出特性第一象限的snapback效应使RC
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...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RC
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IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构，其特征在于，包括:自下而上的集电极、集电区、缓冲层、漂移区、MOS元胞结构。2.根据权利要求1所述的RC
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IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构，其特征在于，所述半元胞结构还包括：所述集电区与所述缓冲层之间设置有低掺杂的第二N
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漂移区。3.根据权利要求2所述的RC
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IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构，其特征在于，所述第二N
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漂移区的厚度大于6μm。4.根据权利要求1所述的RC
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IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构，其特征在于，所述集电区包括N+集电区和P+集电区。5.根据权利要求1所述的RC
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IGBT抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，张孝冬，包梦恬，于成浩，
申请(专利权)人：大连海事大学，
类型：发明
国别省市：