【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电气回路和半导体模块
[0001]本专利技术涉及一种电气回路和半导体模块。
技术介绍
[0002]半导体装置具有设置有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等半导体元件的基板，被利用于逆变器装置等。
[0003]作为具备这样的半导体元件的半导体装置，例如提出有专利文献1、2。在专利文献1中公开有以下结构：IGBT的栅极电流路径与主电流路径平行地配置，并流通相反方向的电流。在专利文献1中具有以下效果：通过开启时的主电流所引起的互感来使栅极电流增大。
[0004]另外，在专利文献2中公开有使MOSFET的栅极布线与源极布线磁耦合的结构。在专利文献2中具有防止以下现象的效果：在上下臂中的一个臂的开关元件开启时，在另一个臂的开关元件的FWD中流通短路电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电气回路，在所述电气回路中，将形成上臂的半导体元件与形成下臂的其它半导体元件串联连接，其中，将所述上臂和所述下臂中的一个臂的栅极电流路径与另一个臂的反向恢复电流路径并行地接近配置，所述栅极电流路径的方向与所述反向恢复电流路径的方向相同。2.根据权利要求1所述的电气回路，其特征在于，将使所述上臂与所述下臂连接的布线同所述下臂的栅极布线并行地接近配置，流过所述下臂的栅极布线的电流的方向与从所述上臂流向所述下臂的反向恢复电流的方向相同。3.根据权利要求1或2所述的电气回路，其特征在于，将使所述下臂与电源连接的布线同所述上臂的栅极布线并行地接近配置，流过所述上臂的栅极布线的电流的方向与从所述下臂流向所述电源的反向恢复电流的方向相同。4.一种半导体模块，在所述半导体模块中，将形成上臂的半导体元件与形成下臂的其它半导体元件串联连接，其中，将形成所述上臂和所述下臂中的一个臂的栅极电流路径的控制布线构件与形成另一个臂的反向恢复电流路径的主电流布线构件并行地接近配置，所述栅极电流路径的方向与所述反向恢复电流路径的方向相同。5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，具备：第一控制布线构件，其将形成所述上臂的半导体元件的栅极电极与所述上臂的栅极信号输入用外部连接端子电连接；以及第二主电流布线构件，其将形成所述下臂的半导体元件与负极侧外部连接端子电连接，其中，所述第一控制布线构件与所述第二主电流布线构件以并行地延伸的方式邻接配置，流过所述第一控制布线构件的电流的方向与流过所述第二主电流布线构件的反向恢复电流的方向相同。6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其特征在于，还具备：第一主电流布线构件，其将形成所述上臂的半导体元件与形成所述下臂的其它半导体元件电连接；以及第二控制布线构件，其将形成所述下臂的其它半导体元件的栅极电极与所述下臂的栅极信号输入用外部连接端子电连接，其中，所述第二控制布线构件与所述第一主电流布线构件以并行地延伸的方式邻接配置，流过所述第二控制布线构件的电流的方向与流过所述第一主电流布线构件的反向恢复电流的方向相同。7.根据权利要求4～6中的任一项所述的半导体模块，其特征在于，从所述上臂的栅极信号输入用外部连接端子向所述上臂的栅极电极延伸的第一控制布线构件的方向与从所述下臂向负极侧外部连接端子延伸的第二主电流布线构件的方向
相同，从所述下臂的栅极信号输入用外部连接端子向所述下臂的栅极电极延伸的第二控制布线构件的方向与从形成所述上臂的半导体元件向形成所述下臂的其它半导体元件延伸的第一主电流布线构件的方向相同。8.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，所述第一主电流布线构件和所述第二主电流布线构件被配置为在与第一主电流布线构件和所述第二主电流布线构件的延伸方向交叉的方向上将所述第一控制布线构件和所述第二控制布线构件夹在中间，所述第一控制布线构件偏向所述第二主电流布线构件地配置，所述第二控制布线构件偏向所述第一主电流布线构件地配置。9.根据权利要求7或8所述的半导体模块，其特征在于，所述第一主电流布线构件由导体线、形成在层叠基板上的电路板或者金属布线板构成，所述第二主电流布线构件由导体线、形成在层叠基板上的电路板或者金属布线板构成，所述第一控制布线构件是形成在层叠基板上的第一栅极布线用电路板，所述第二控制布线构件是形成在层叠基板上的第二栅极布线用电路板。10.根据权利要求9所述的半导体模块，其特征在于，所述上臂是将第一开关元件与第一...
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