天线自电容变化检测方法、装置及相关应用制造方法及图纸

本申请公开了一种天线自电容变化检测方法、装置及相关应用。所述方法包括：分别获取所述天线和所述感测电极自电容变化总量；根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。所述天线自电容变化检测方法能够准确确定出由于物体接近引起的天线自电容变化，从而准确判断是否有物体接近，以便更好地控制调节天线的发射功率。功率。功率。

【技术实现步骤摘要】
天线自电容变化检测方法、装置及相关应用


[0001]本申请涉及电容式检测
，特别涉及一种天线自电容变化检测方法、装置及相关应用。

技术介绍

[0002]电磁波吸收比值或比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)是衡量无线电设备电磁辐射的基本限值，在无线电设备使用过程中，尤其是当有人体接近时，需要将SAR降低到一个合适的水平，从而使得无线电设备符合SAR标准，降低辐射对人体的影响。
[0003]以移动通信设备为例，可以通过复用天线的方式，检测移动通信设备中天线的自电容变化来判断是否有人体接近，其原理如图1所示，当有人体接近天线时，天线的自电容会发生变化，当根据自电容变化确定有人体接近时，可以适当降低天线的发射功率来减少电磁辐射，使移动通信设备符合SAR的限值要求。
[0004]由于移动通信设备中使用的天线对温度非常敏感，在温度变化时也会引起非常大的自电容变化，导致采用自电容的方式进行接近检测时，无法分辨是由于温度变化导致的自电容变化，还是由于物体接近导致的自电容变化。因此，现有基于天线的自电容变化的人体接近检测，准确性比较低。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，提出了本申请以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种天线自电容变化检测方法、装置及相关应用。
[0006]本申请实施例提供一种天线模组，包括：
[0007]天线和至少一个感测电极；
[0008]所述感测电极位于在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内。
[0009]本申请实施例提供还提供一种天线模组制作方法，包括：在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内设置至少一个感测电极，使所述天线和所述感测电极处于相同的温度环境中。
[0010]本申请实施例还提供一种天线自电容变化检测方法，应用于上述中任一项所述的天线模组，包括：
[0011]分别获取所述天线和所述感测电极自电容变化总量；
[0012]根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；
[0013]确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。
[0014]本申请实施例还提供一种天线自电容变化检测装置，应用于上述中任一项所述的天线模组，包括：
[0015]天线自电容检测模块，用于获取天线的自电容变化总量；
[0016]感测电极自电容检测模块，用于获取感测电极的自电容变化总量；
[0017]第一确定模块，用于根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；
[0018]第二确定模块，用于确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。
[0019]可选的，天线自电容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：
[0020]获取所述天线在参考时刻的初始自电容；
[0021]获取所述天线在当前时刻的当前自电容；
[0022]根据所述天线的初始自电容和当前自电容，确定所述天线的自电容变化总量。
[0023]可选的，天线自电容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：
[0024]感测电极自电容检测模块获取感测电极的自电容变化总量，包括：
[0025]获取所述感测电极在参考时刻的初始自电容；
[0026]获取所述感测电极在当前时刻的当前自电容；
[0027]根据所述感测电极的初始自电容和当前自电容，确定所述感测电极的自电容变化总量。
[0028]可选的，所述自电容变化比例系数根据所述天线的面积和所述感测电极的面积确定。
[0029]可选的，所述第一确定模块根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量，包括：
[0030]所述第一确定模块确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量为所述感测电极的自电容变化总量与所述自电容变化比例系数的乘积或比值。
[0031]可选的，通过电容检测芯片检测所述天线的自电容，以及通过电容检测芯片检测所述感测电极的自电容。
[0032]本申请实施例还提供一种天线自电容变化检测系统，包括上述中任一项所述的天线模组和上述中任一项所述的天线自电容变化检测装置。
[0033]本申请实施例还提供一种接近检测方法，应用于上述中任一项所述天线模组，包括：
[0034]分别获取所述天线和所述感测电极的自电容变化总量；
[0035]根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；
[0036]基于所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值，确定是否有物体接近所述天线。
[0037]可选的，分别获取天线和感测电极的自电容变化总量，包括：
[0038]分别获取所述天线和所述感测电极在参考时刻的初始自电容；
[0039]分别获取所述天线和所述感测电极在当前时刻的当前自电容；
[0040]根据所述天线的初始自电容和当前自电容，确定所述天线的自电容变化总量，以及根据所述感测电极的初始自电容和当前自电容，确定所述感测电极的自电容变化总量。
[0041]可选的，所述自电容变化比例系数根据所述天线的面积和所述感测电极的面积确定。
[0042]可选的，根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量，包括：
[0043]确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量为所述感测电极的自电容变化总量与所述自电容变化比例系数的乘积或比值。
[0044]可选的，通过电容检测芯片检测所述天线的自电容，以及通过电容检测芯片检测所述感测电极的自电容。
[0045]本申请实施例还提供一种接近检测装置，应用于上述中任一项所述天线模组，包括：
[0046]天线自电容检测模块，用于获取天线的自电容变化总量；
[0047]感测电极自电容检测模块，用于获取感测电极当前时刻相对于参考时刻的自电容变化总量；
[0048]第一确定模块，用于根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；
[0049]第三确定模块，用于基于所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值，确定是否有物体接近所述天线。
[0050]可选的，天线自电容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：
[0051]获取所述天线在参考时刻的初始自电容；
[0052]获取所述天线在当前时刻的当前自电容；
[0053]根据所述天线的初始自电容和当前自电容，确定所述天线的自电容变化总量。
[0054]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线模组，其特征在于，包括：天线和至少一个感测电极；所述感测电极位于在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内。2.如权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述感测电极包括以下至少一种：金属片、金属线、可导电的非金属片、可导电的非金属线。3.一种天线模组制作方法，其特征在于，包括：在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内设置至少一个感测电极，使所述天线和所述感测电极处于相同的温度环境中。4.一种天线自电容变化检测方法，应用于权利要求1或2任一项所述的天线模组，其特征在于，包括：分别获取所述天线和所述感测电极自电容变化总量；根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。5.一种天线自电容变化检测装置，应用于权利要求1或2任一项所述的天线模组，其特征在于，包括：天线自电容检测模块，用于获取天线的自电容变化总量；感测电极自电容检测模块，用于获取感测电极的自电容变化总量；第一确定模块，用于根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自电容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；第二确定模块，用于确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。6.一种接近检测方法，应用于权利要求1或2任...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洁，陈曦，
申请(专利权)人：深圳曦华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：