天线模组及相关装置制造方法及图纸

本申请示例提供了一种天线模组及相关装置。所述天线模组，包括：天线和至少一个感测电极，所述感测电极位于在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内。通过应用于所述天线模组上的相关装置，获取感测电极的自电容变化总量，再根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。通过所述天线自电容变化检测方法能够准确确定出由于物体接近引起的天线自电容变化，从而准确判断是否有物体接近，以便更好地控制调节天线的发射功率。调节天线的发射功率。调节天线的发射功率。

【技术实现步骤摘要】
天线模组及相关装置


[0001]本申请涉及电容式检测
，特别涉及一种天线模组及相关装置。

技术介绍

[0002]电磁波吸收比值或比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)是衡量无线电设备电磁辐射的基本限值，在无线电设备使用过程中，尤其是当有人体接近时，需要将SAR降低到一个合适的水平，从而使得无线电设备符合SAR标准，降低辐射对人体的影响。
[0003]以移动通信设备为例，可以通过复用天线的方式，检测移动通信设备中天线的自电容变化来判断是否有人体接近，当判断有人体接近时，可以适当降低天线的发射功率来使移动通信设备符合SAR的限制要求。
[0004]但移动通信设备中所使用的天线在温度变化时也会引起较大的自电容变化，导致采用自电容的方式进行检测时，无法区分是由于物体接近还是温度变化导致的自电容变化。因此，存在现有的基于天线自电容变化的物体接近检测准确性较低的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提出一种天线模组及相关装置，以期准确获取由于物体接近导致的天线自电容变化。
[0006]本申请实施例提供一种天线模组，包括：
[0007]天线和至少一个感测电极；
[0008]所述感测电极位于在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内。
[0009]本申请实施例还提供一种天线自电容变化检测装置，应用于上述中任一项所述的天线模组，包括：
[0010]天线自容检测模块，用于获取天线的自电容变化总量；
[0011]感测电极自容检测模块，用于获取感测电极的自电容变化总量；
[0012]第一确定模块，用于根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；
[0013]第二确定模块，用于确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。
[0014]可选的，天线自容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：
[0015]获取所述天线在参考时刻的初始自电容；
[0016]获取所述天线在当前时刻的当前自电容；
[0017]根据所述天线的初始自电容和当前自电容，确定所述天线的自电容变化总量。
[0018]可选的，感测电极自容检测模块获取感测电极的自电容变化总量，包括：
[0019]获取所述感测电极在参考时刻的初始自电容；
[0020]获取所述感测电极在当前时刻的当前自电容；
[0021]根据所述感测电极的初始自电容和当前自电容，确定所述感测电极的自电容变化
总量。
[0022]可选的，所述自容变化比例系数根据所述天线的面积和所述感测电极的面积确定。
[0023]可选的，所述第一确定模块根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量，包括：
[0024]所述第一确定模块确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量为所述感测电极的自电容变化总量与所述自容变化比例系数的乘积。
[0025]可选的，通过电容检测芯片检测所述天线的自电容，以及通过电容检测芯片检测所述感测电极的自电容。
[0026]本申请实施例还提供一种天线自电容变化检测系统，包括上述中任一项所述的天线模组和上述中任一项所述的天线自电容变化检测装置。
[0027]本申请实施例还提供一种接近检测装置，应用于上述中任一项所述天线模组，包括：
[0028]天线自容检测模块，用于获取天线的自电容变化总量；
[0029]感测电极自容检测模块，用于获取感测电极当前时刻相对于参考时刻的自电容变化总量；
[0030]第一确定模块，用于根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；
[0031]第三确定模块，用于基于所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值，确定是否有物体接近所述天线。
[0032]可选的，天线自容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：
[0033]获取所述天线在参考时刻的初始自电容；
[0034]获取所述天线在当前时刻的当前自电容；
[0035]根据所述天线的初始自电容和当前自电容，确定所述天线的自电容变化总量。
[0036]可选的，天线自容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：
[0037]感测电极自容检测模块获取感测电极的自电容变化总量，包括：
[0038]获取所述感测电极在参考时刻的初始自电容；
[0039]获取所述感测电极在当前时刻的当前自电容；
[0040]根据所述感测电极的初始自电容和当前自电容，确定所述感测电极的自电容变化总量。
[0041]可选的，所述自容变化比例系数根据所述天线的面积和所述感测电极的面积确定。
[0042]可选的，所述第一确定模块根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量，包括：
[0043]所述第一确定模块确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量为所述感测电极的自电容变化总量与所述自容变化比例系数的乘积或比值。
[0044]可选的，通过电容检测芯片检测所述天线的自电容，以及通过电容检测芯片检测所述感测电极的自电容。
[0045]本申请实施例还提供一种接近检测系统，包括上述中任一项所述的天线模组和上
述中任一项所述的接近检测装置。
[0046]本申请实施例还提供一种天线发射功率控制装置，应用于上述中任一项所述的天线模组，包括：
[0047]如上述中任一项所述的接近检测装置；
[0048]功率调整模块，用于当所述接近检测装置检测到有物体接近所述天线时，按照预设规则调整所述天线的发射功率。
[0049]本申请实施例还提供一种天线发射功率控制系统，包括上述中任一项所述的天线模组和如上所述的天线发射功率控制装置。
[0050]本申请实施例还提供一种温度检测电路，应用于上述中任一项所述的天线模组，包括：第一低频滤波通路和第一自容检测通路；
[0051]所述第一低频滤波通路连接所述天线模组中的感测电极和所述第一自容检测通路，可阻止高频信号通过并允许低频信号通过；
[0052]所述第一自容检测通路，用于检测所述第一低频滤波通路的输出电压，得到所述感测电极的自电容变化总量，以及根据所述感测电极的自电容变化总量，确定所述感测电极周围的环境温度变化量。
[0053]本申请实施例还提供一种温度检测系统，包括：如上述中任一项所述的天线模组和如上所述的温度检测电路。
[0054]本申请实施例还提供一种电容检测芯片，应用于上述中任一项所述的天线模组，包括：感测自容检测电路和天线自容检测电路；
[0055]感测自容检测电路包括第一低频滤波通路和第一自容检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线模组，其特征在于，包括：天线和至少一个感测电极；所述感测电极位于在至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内。2.如权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述感测电极与所述天线的距离根据所述感测电极尺寸、天线尺寸和接近物体的预估尺寸设置。3.如权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述感测电极覆盖区域的中心与所述天线所覆盖区域的中心在设备外壳上的投影重合或距离不超设定的距离阈值。4.如权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述感测电极覆盖区域与所述天线所覆盖区域的比值根据所述天线覆盖区域和接近物体的预估覆盖区域确定。5.如权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述至少一个方向上可被所述天线电磁屏蔽的区域内，包括：当所述天线与所述感测电极之间的电压差保持不变的情况下，所述感测电极与所述至少一个方向上的接近物体之间不能形成电磁场的区域。6.一种天线自电容变化检测装置，应用于权利要求1
‑
5任一项所述的天线模组，其特征在于，包括：天线自容检测模块，用于获取天线的自电容变化总量；感测电极自容检测模块，用于获取感测电极的自电容变化总量；第一确定模块，用于根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电容变化量；第二确定模块，用于确定所述天线的自电容变化总量和所述第一自电容变化量的差值为所述天线由物体接近引起的第二自电容变化量。7.如权利要求6所述的天线自电容变化检测装置，其特征在于，天线自容检测模块获取天线的自电容变化总量，包括：获取所述天线在参考时刻的初始自电容；获取所述天线在当前时刻的当前自电容；根据所述天线的初始自电容和当前自电容，确定所述天线的自电容变化总量。8.如权利要求6所述的天线自电容变化检测装置，其特征在于，感测电极自容检测模块获取感测电极的自电容变化总量，包括：获取所述感测电极在参考时刻的初始自电容；获取所述感测电极在当前时刻的当前自电容；根据所述感测电极的初始自电容和当前自电容，确定所述感测电极的自电容变化总量。9.如权利要求6所述的天线自电容变化检测装置，其特征在于，所述自容变化比例系数根据所述天线的面积和所述感测电极的面积确定。10.如权利要求6所述的天线自电容变化检测装置，其特征在于，所述第一确定模块根据所述感测电极的自电容变化总量和预设的自容变化比例系数，确定所述天线由温度变化引起的第一自电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洁，陈曦，
申请(专利权)人：深圳曦华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：