白光LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种白光LED芯片及其封装方法，其中，白光LED芯片包括：倒装蓝光LED芯片；围设于蓝光LED芯片四周的第一高反射率胶层；设置于蓝光LED芯片和第一高反射率胶层表面的荧光膜层，荧光膜层覆盖蓝光LED芯片的发光侧表面及第一高反射率白胶的部分表面；及于第一高反射率胶层表面未被荧光膜层覆盖区域围设于荧光胶层四周的光阻挡层。以节约白光LED芯片在小角度发光应用场景中的成本。片在小角度发光应用场景中的成本。片在小角度发光应用场景中的成本。

【技术实现步骤摘要】
白光LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED
，尤其是一种白光LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]作为新兴的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)照明领域，LED汽车前大灯已经开始取代传统的氙气灯，应用于中高端汽车照明市场，并渐渐向低端车普及。目前，高端汽车前大灯开始使用由LED组成的像素矩阵大灯，满足车规级要求，具体，在封装基板上像素矩阵大灯由多颗LED串并在一起，通过控制电路方案，使得矩阵大灯根据实际环境，实现局部亮、暗等功能，以提高汽车行驶过程中的安全性能。但是，LED芯片都存在一定的发光角度，即便采用高反射率白胶围设在LED芯片四周，也不能保证LED芯片的光垂直90
°
出射，将多颗LED芯片串并在一起时，就会出现芯片之间的出射光相互交叉的情况，从而影响车灯的出光。要解决这一问题，要么在封装时芯片之间留有足够的间距，要么在芯片表面配置透镜收光，这两种方式中，前者会导致车灯模块尺寸过大，后者需要配置额外的透镜，均会造成资源浪费。

技术实现思路

[0003]为了克服以上不足，本专利技术提供了一种白光LED芯片及其封装方法，节约白光LED芯片在小角度发光应用场景中的成本。
[0004]本专利技术提供的技术方案为：
[0005]一方面，本专利技术提供了一种白光LED芯片，包括：
[0006]倒装蓝光LED芯片；
[0007]围设于蓝光LED芯片四周的第一高反射率胶层；
[0008]设置于蓝光LED芯片和第一高反射率胶层表面的荧光膜层，所述荧光膜层覆盖蓝光LED芯片的发光侧表面及第一高反射率白胶的部分表面；及
[0009]于所述第一高反射率胶层表面未被荧光膜层覆盖区域围设于所述荧光胶层四周的光阻挡层。
[0010]进一步优选地，所述白光LED芯片还包括围设在所述光阻挡层和第一高反射率胶层四周的第二高反射率胶层。
[0011]进一步优选地，所述光阻挡层中包括硅粉、碳粉或石墨烯中的一种或多种。
[0012]另一方面，本专利技术提供了一种白光LED芯片制备方法，应用于上述白光LED芯片，所述白光LED芯片制备方法包括：
[0013]将倒装蓝光LED芯片规律排列于支撑膜表面；
[0014]将预先制备的荧光膜层贴于所述蓝光LED芯片与电极相对的发光侧表面；
[0015]将第一高反射率白胶填充于蓝光LED芯片之间至蓝光LED芯片上表面的高度；
[0016]将光阻挡胶填充于蓝光LED芯片之间的第一高反射率白胶表面；
[0017]对蓝光LED芯片表面的光阻挡胶进行研磨至荧光膜层；
[0018]沿切割道进行切割，得到单颗白光LED芯片。
[0019]进一步优选地，所述将光阻挡胶填充于蓝光LED芯片之间的第一高反射率白胶表面之后还包括：
[0020]使用一定宽度的宽刀对蓝光LED芯片之间的光阻挡胶进行切割至第一高反射率胶层；
[0021]将第二高反射率白胶填充于蓝光LED芯片之间的切割道内；
[0022]所述对蓝光LED芯片表面的光阻挡胶进行研磨至荧光膜层中，包括：对蓝光LED芯片表面的光阻挡胶和第二高反射率白胶进行研磨至荧光膜层。
[0023]另一方面，本专利技术还提供了一种白光LED芯片，包括：
[0024]倒装蓝光LED芯片；
[0025]设置于蓝光LED芯片表面的荧光膜层；及
[0026]围设于所述荧光胶层和蓝光LED芯片四周的光阻挡层。
[0027]进一步优选地，所述白光LED芯片还包括围设在所述光阻挡层四周的高反射率胶层。
[0028]进一步优选地，所述光阻挡层中包括硅粉、碳粉或石墨烯中的一种或多种。
[0029]另一方面，本专利技术还提供了一种白光LED芯片制备方法，应用于上述白光LED芯片，所述白光LED芯片制备方法包括：
[0030]将倒装蓝光LED芯片规律排列于支撑膜表面；
[0031]将预先制备的荧光膜层贴于所述蓝光LED芯片与电极相对的发光侧表面；
[0032]将光阻挡胶填充于蓝光LED芯片之间至蓝光LED芯片上表面的高度；
[0033]对蓝光LED芯片表面的光阻挡胶进行研磨至荧光膜层；
[0034]沿切割道进行切割，得到单颗白光LED芯片。
[0035]进一步优选地，所述对蓝光LED芯片表面的光阻挡胶进行研磨至荧光膜层之后，还包括：
[0036]沿蓝光LED芯片之间的切割道对光阻挡胶进行切割；
[0037]将切割后带有荧光膜层和光阻挡层的蓝光LED芯片规则排列于新的支撑膜表面；
[0038]于蓝光LED芯片之间填充高反射率白胶至荧光膜层的高度；
[0039]对蓝光LED芯片表面的高反射率白胶进行研磨至荧光膜层。
[0040]在本专利技术提供的白光LED芯片及其封装方法，在蓝光LED芯片四周围设高反射白胶之外，进一步围设掺杂有硅粉、碳粉或石墨烯中的一种或多种的光阻挡层，阻挡光从荧光膜层的侧边发射出去，将白光LED芯片的出光角度减小至90
°
，在要求白光LED芯片出光角度小的后续应用中，无需通过扩大LED芯片之间的间距或配置透镜收光的方式解决LED芯片之间杂散光的问题，从而节约了应用成本，尤其应用于车大灯中时，能够大大减小车灯模块的尺寸。
附图说明
[0041]图1为本专利技术白光LED芯片一种实施例结构示意图；
[0042]图2为本专利技术白光LED芯片另一种实施例结构示意图；
[0043]图3为本专利技术白光LED芯片另一种实施例结构示意图；
[0044]图4为本专利技术白光LED芯片另一种实施例结构示意图。
[0045]附图标记：
[0046]1‑
蓝光LED芯片，2
‑
第一高反射率胶层，3
‑
荧光膜层，4
‑
光阻挡层，5
‑
第二高反射率胶层，6
‑
高反射率胶层。
具体实施方式
[0047]为了更清楚地说明本专利技术实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0048]本专利技术的第一种实施例，一种白光LED芯片，如图1所示，包括：倒装蓝光LED芯片1；围设于蓝光LED芯片1四周的第一高反射率胶层2；设置于蓝光LED芯片1和第一高反射率胶层2表面的荧光膜层3，荧光膜层3覆盖蓝光LED芯片1的发光侧表面及第一高反射率白胶的部分表面；及于第一高反射率胶层2表面未被荧光膜层3覆盖区域围设于荧光胶层四周的光阻挡层4。
[0049]在本实施例中，将高反射率白胶围设于蓝光LED芯片1侧边的发光侧表面，内部掺杂的反射颗粒(如TiO2颗粒、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种白光LED芯片，其特征在于，包括：倒装蓝光LED芯片；围设于蓝光LED芯片四周的第一高反射率胶层；设置于蓝光LED芯片和第一高反射率胶层表面的荧光膜层，所述荧光膜层覆盖蓝光LED芯片的发光侧表面及第一高反射率白胶的部分表面；及于所述第一高反射率胶层表面未被荧光膜层覆盖区域围设于所述荧光胶层四周的光阻挡层。2.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括围设在所述光阻挡层和第一高反射率胶层四周的第二高反射率胶层。3.如权利要求1或2所述的白光LED芯片，其特征在于，所述光阻挡层中包括硅粉、碳粉或石墨烯中的一种或多种。4.一种白光LED芯片制备方法，其特征在于，应用于制备如权利要求1
‑
3任意一项所述的白光LED芯片，所述白光LED芯片制备方法包括：将倒装蓝光LED芯片规律排列于支撑膜表面；将预先制备的荧光膜层贴于所述蓝光LED芯片与电极相对的发光侧表面；将第一高反射率白胶填充于蓝光LED芯片之间至蓝光LED芯片上表面的高度；将光阻挡胶填充于蓝光LED芯片之间的第一高反射率白胶表面；对蓝光LED芯片表面的光阻挡胶进行研磨至荧光膜层；沿切割道进行切割，得到单颗白光LED芯片。5.如权利要求4所述的白光LED芯片制备方法，其特征在于，所述将光阻挡胶填充于蓝光LED芯片之间的第一高反射率白胶表面之后还包括：使用一定宽度的宽刀对蓝光LED芯片之间的光阻挡胶进行切割至第一高反射率胶层；将第二高反射率白胶填充于蓝光LED芯片之间的切割道内；...

【专利技术属性】
技术研发人员：江柳杨，赵汉民，涂洪平，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：