显示面板及显示面板的制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种显示面板及制备方法。显示面板包括发光器件层、第一光学结构层、第二光学结构层及抗反射层，发光器件层包括发光二极管及挡墙，第二光学结构层填充于该第一光学结构层的开口区域，同时第二光学结构层大于第一光学结构层的折射率。通过不同折射率的光学结构层以及挡墙提高出光率以及显示效果。光学结构层以及挡墙提高出光率以及显示效果。光学结构层以及挡墙提高出光率以及显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示面板的制备方法


[0001]本专利技术涉及显示面板及显示装置的制造
，具体涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

技术介绍

[0002]随着柔性显示屏技术的发展，人们对显示面板的质量以及性能均提出了更高的要求。
[0003]微发光二极管(Micro light emitting diode，MicroLED)是新一代的显示技术，比现有的有机发光二极管(Organic light emitting diode，OLED)技术亮度更高，发光效率更好，同时其功率也更低。并且MicroLED还具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势，是继OLED之后另一具轻薄及省电优势的显示技术。因此近年来MicroLED显示技术受到越来越广泛的关注。但是，作为一种新的技术MicroLED仍面临很多技术挑战。如制备工艺较复杂以及制备形成的MicroLED显示面板在出光效率以及显示效果上还存在一定的缺陷，不能达到最佳的出光效率，从而不利于显示面板综合性能的提高。
[0004]综上所述，现有技术中制备得到的MicroLED显示面板在制备工艺以及器件性能上还存在一定的缺陷，如显示面板中光线的出光率较低，显示效果不理想，不利于显示面板综合性能的提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种MicroLED显示面板，以有效的改善现有的器件出光率较低，面板显示效果不理想等问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例所提供的技术方法如下：
[0007]本专利技术实施例的第一方面，提供了一种显示面板，包括：
[0008]衬底；
[0009]发光器件层，所述发光器件层设置在所述衬底上，所述发光器件层包括呈阵列排布的发光二极管，以及设置在相邻两发光二极管之间的挡墙；
[0010]第一光学结构层，所述第一光学结构层设置在所述发光器件层上，所述第一光学结构层包括开口区域，所述开口区域与所述发光二极管对应设置；
[0011]第二光学结构层，所述第二光学结构层设置在所述第一光学结构层上，并填充于所述开口区域，其中，所述第二光学结构层的折射率大于所述第一光学结构层的折射率；以及，
[0012]抗反射层，所述抗反射层设置在所述第二光学结构层之上。
[0013]根据本专利技术一实施例，所述挡墙内设置有吸光粒子以及光扩散粒子。
[0014]根据本专利技术一实施例，所述吸光粒子包括碳黑粒子或有机黑色粒子。
[0015]根据本专利技术一实施例，所述光扩散粒子包括TiO2、ZrO2中的至少一种。
[0016]根据本专利技术一实施例，所述光扩散粒子的粒径为100nm～300nm。
[0017]根据本专利技术一实施例，所述第一光学结构层的折射率为1.1～1.5，所述第二光学结构层的折射率大于1.6。
[0018]根据本专利技术一实施例，所述显示面板还包括滤光层，所述滤光层设置在所述第二光学结构层与所述抗反射层之间，所述滤光层包括间隔设置的黑色矩阵层以及设置在所述黑色矩阵层之间的色阻层，所述色阻层与所述开口区域对应设置。
[0019]根据本专利技术一实施例，所述挡墙的高度不大于所述发光二极管的高度。
[0020]根据本申请一实施例，所述第一光学结构够还包括非开口区域，所述非开口区域与所述开口区域间隔设置，且所述非开口区域内对应的所述第一光学结构层的截面形状为梯形或弧形。
[0021]根据本申请一实施例，所述梯形结构与所述发光器件层的表面之间形成的夹角为30
°
～50
°
。
[0022]根据本申请一实施例，所述第二光学结构层的厚度大于等于所述第一光学结构层的厚度。
[0023]根据本申请一实施例，所述开口区域的宽度大于等于相对应的所述发光二极管的宽度。
[0024]根据本申请一实施例，所述抗反射层的表面反射率小于6％。
[0025]根据本专利技术实施例的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
[0026]提供一衬底；
[0027]在所述衬底上制备形成挡墙，所述挡墙间隔的设置在所述衬底上；
[0028]在相邻的挡墙之间设置发光二极管，对所述挡墙和所述发光二极管平坦化，以形成发光器件层；
[0029]在所述发光器件层上制备形成第一光学结构层，并在所述第一光学结构层上制备第二光学结构层，其中，所述第一光学结构层包括开口区域和非开口区域，所述开口区域与所述发光二极管对应设置，所述第二光学结构层填充于所述开口区域，且所述第一光学结构层的折射率于所述第二光学结构层的折射率不同；
[0030]在所述发光器件层上制备形成滤光层，并在所述滤光层上制备并形成抗反射层；
[0031]在所述抗反射层上制备保护层，并完成所述显示面板的制备。
[0032]综上所述，本专利技术实施例的有益效果为：
[0033]本专利技术实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括发光器件层、第一光学结构层、第二光学结构层以及抗反射层，其中发光器件层包括发光二极管以及设置在发光二极管之间的挡墙，第二光学结构层填充于该第一光学结构层的开口区域，同时第二光学结构层于第一光学结构层的折射率不同。通过不同折射率的光学结构层以及挡墙结构有效的提高显示面板内发光二极管的出光效率，从而有效地提高显示面板显示效果以及性能。
附图说明
[0034]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果更显而易见。
[0035]图1为本申请实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
[0036]图2
‑
图3为本申请实施例提供的挡墙与发光二极管对光线作用的示意图；
[0037]图4为本申请实施例提供的光学结构层的结构示意图；
[0038]图5为本申请实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图；
[0039]图6
‑
图12为本申请实施例提供的显示面板在不同工序下对应的膜层结构示意图；
[0040]图13
‑
图14为本申请实施例中提供的显示面板的膜层示意图。
具体实施方式
[0041]下面将结合本专利技术实施例中的附图，下文的公开提供了不同的实施方式或例子来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术，下文对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用。本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0042]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；发光器件层，所述发光器件层设置在所述衬底上，所述发光器件层包括呈阵列排布的发光二极管，以及设置在相邻两发光二极管之间的挡墙；第一光学结构层，所述第一光学结构层设置在所述发光器件层上，所述第一光学结构层包括开口区域，所述开口区域与所述发光二极管对应设置；第二光学结构层，所述第二光学结构层设置在所述第一光学结构层上，并填充于所述开口区域，其中，所述第二光学结构层的折射率大于所述第一光学结构层的折射率；以及，抗反射层，所述抗反射层设置在所述第二光学结构层之上。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙内设置有吸光粒子以及光扩散粒子。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述吸光粒子包括碳黑粒子或有机黑色粒子。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述光扩散粒子包括TiO2、ZrO2中的至少一种。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述光扩散粒子的粒径为100nm～300nm。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一光学结构层的折射率为1.1～1.5，所述第二光学结构层的折射率大于1.6。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括滤光层，所述滤光层设置在所述第二光学结构层与所述抗反射层之间，所述滤光层包括间隔设置的黑色矩阵层以及设置在所述黑色矩阵层之间的色阻层，所述色阻层与所述开口区域对应设置。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙的高度不大于所述发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超群，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：