一种ZnO基量子点激光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开的ＺｎＯ基量子点激光二极管是以ＺｎＯ为基，在衬底的一面自下而上依次沉积ｎ－ＺｎＯ薄膜层、ｎ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层、第一ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射层、ＺｎＯ量子点有源层、第二ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射层、ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层、ｐ－ＺｎＯ薄膜层以及第一电极，在衬底的另一面沉积第二电极；其中的ＺｎＯ量子点有源层由嵌于ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｚ］Ｍｇ↓［ｚ］Ｏ量子阱层的ＺｎＯ量子点构成。本发明专利技术的激光二极管以ＺｎＯ量子点作为有源层，发光效率高；ＺｎＭｇＯ的晶格常数与ＺｎＯ相匹配，容易实现符合设计要求的布拉格反射镜，提高激光二极管的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光二极管及其制备方法，尤其是ZnO基量子点激光二极管及其制备方法。
技术介绍
ZnO室温下禁带宽度为3.37eV，并且具有高达60meV的激子束缚能，远高于其他宽禁带半导体材料，可以实现室温或更高温度下的激子-激子碰撞的受激辐射，是制备室温低阈值紫外半导体激光器的理想材料。目前，p-ZnO薄膜和ZnO LED的制备都取得了重大进展，为ZnO基激光二极管的实现拓宽了道路。由于三维量子限制效应，ZnO量子点中的禁带宽度会增加，激子振动强度和激子束缚能会进一步提高，因而可以大大提高发光效率。另外，量子点采用自组装生长机理，具有更好的结晶质量，发光性能比体材料更好。并且量子点的尺寸可调，从而可以调节出射激光的波长。
技术实现思路
本专利技术的目的是为半导体激光二极管增加新的品种，而提供。本专利技术的ZnO基量子点激光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n-ZnO薄膜层，n-Zn1-xMgxO薄膜层、0＜X＜0.5，第一ZnO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射层、0＜y＜1，ZnO量子点有源层，第二ZnO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射层、0＜y＜1，p-Zn1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＺｎＯ基量子点激光二极管，其特征是以ＺｎＯ为基，在衬底（１）的一面自下而上依次沉积ｎ－ＺｎＯ薄膜层（２），ｎ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层（３）、０＜Ｘ＜０．５，第一ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射层（４）、０＜ｙ＜１，ＺｎＯ量子点有源层（５），第二ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射层（６）、０＜ｙ＜１，ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层（７）、０＜Ｘ＜０．５，ｐ－ＺｎＯ薄膜层（８）以及第一电极（９），在衬底的另一面沉积第二电极（１０）；其中ＺｎＯ量子点有源层（５）由３～５个周期嵌于ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｚ］Ｍｇ↓［ｚ］Ｏ量子阱层的ＺｎＯ量...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，卢洋藩，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]