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本发明公开的ＺｎＯ基量子点激光二极管是以ＺｎＯ为基，在衬底的一面自下而上依次沉积ｎ－ＺｎＯ薄膜层、ｎ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层、第一ＺｎＯ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射层、ＺｎＯ量子点有源层、第二ＺｎＯ／Ｚｎ↓［...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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