一种电源电路封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开电源电路封装结构，包括塑封体、塑封体上的IC控制芯片、IC控制芯片两侧的第一金属基岛、第二金属基岛、连接IC控制芯片和第一金属基岛的MOS开关芯片，MOS开关芯片上设置第一聚酰亚胺层，IC控制芯片设置第二聚酰亚胺层，MOS开关芯片设置第一聚酰亚胺层的第一铜柱、与第一铜柱垂直并与第一金属基岛贴合的第一铜块，第一金属基岛向外延伸的第一引脚，贯穿第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层的第二铜柱和第二铜块，IC控制芯片上设置有位于第二铜柱之间第三铜柱、与第三铜柱垂直并与第二金属基岛贴合的第三铜块，第二金属基岛连接有向外延伸的第二引脚。本发明专利技术还提供电源电路封装方法，大大降低功耗并提高了工作频率。大大降低功耗并提高了工作频率。大大降低功耗并提高了工作频率。

【技术实现步骤摘要】
一种电源电路封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种电源电路的封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]通常电源电路包含的主要器件有功率开关、集成电路(Integrated circuit，简称IC)、保护器件和无源器件。其中，功率开关常用的是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET)或绝缘栅极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)。IC可以是驱动芯片或PWM控制芯片，或两者的组合。MOSFET作为开关，受IC控制，完成对输入电源的脉宽调制，经过无源器件输出负载需要的电压。
[0003]目前主流的电源电路的封装方法，多采用将MOSFET、IC、无源器件集中封装在同一封装体内，内部通过金属基岛、金属引线，将各类器件互连以实现电路功能。由于开关电源的特性，决定了其需要传递很大的电流，而器件间的引线会使得整个电源电路的寄生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源电路封装结构，其特征在于，包括塑封体、位于所述塑封体上的IC控制芯片、位于所述IC控制芯片两侧的第一金属基岛、与所述IC控制芯片连接的第二金属基岛、连接所述IC控制芯片和所述第一金属基岛的MOS开关芯片，所述MOS开关芯片上表面设置有第一聚酰亚胺层，所述IC控制芯片下表面设置有第二聚酰亚胺层，所述MOS开关芯片的一侧设置有贯穿所述第一聚酰亚胺层并间隔排列的第一铜柱、与所述第一铜柱垂直并与所述第一金属基岛的第一端面贴合的第一铜块，所述第一金属基岛的第二端面向外延伸的第一引脚，所述MOS开关芯片的另一侧设置有分别贯穿所述第一聚酰亚胺层和所述第二聚酰亚胺层并间隔排列的第二铜柱、与所述第二铜柱垂直并位于所述第一聚酰亚胺层和所述第二聚酰亚胺层之间的第二铜块，所述IC控制芯片上设置有位于所述第二铜柱之间并贯穿所述第二聚酰亚胺层的第三铜柱、与所述第三铜柱垂直并与所述第二金属基岛的一端贴合的第三铜块，所述第二金属基岛的另一端连接有向外延伸的第二引脚。2.根据权利要求1所述的电源电路封装结构，其特征在于，所述第一铜块的尺寸大于所述第二铜块的尺寸，所述第一金属基岛的尺寸大于所述第二金属基岛的尺寸。3.根据权利要求1所述的电源电路封装结构，其特征在于，平行于塑封体方向上，所述第二金属基岛的高度小于所述第一金属基岛的高度，所述第一铜块、所述第二铜块和所述第三铜块位于同一水平线。4.一种电源电路封装方法，其特征在于，包括以下步骤：将两个MOS开关芯片上表面涂覆一层聚酰亚胺层，去除芯片的引线窗口处的聚酰亚胺形成第一聚酰亚胺层，并植入铜球进行生长形成贯穿所述第一聚酰亚胺层间隔排列的第一铜柱和位于所述MOS开关芯片另一侧的第一子铜柱，向所述第一铜柱、所述第一子铜柱上覆盖一层金属并去除多余的金属，形成位于所述第一铜柱上的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾岚雁，林河北，梅小杰，解维虎，陈永金，
申请(专利权)人：深圳市金誉半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：