一种陶瓷基片的研磨方法技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷基片的研磨方法，平整处理陶瓷基片表面，采用分段梯度增速的方式增大上磨盘和下磨盘的转速A，采用分段梯度增压的方式增大上磨盘对陶瓷基片的加工压力B，避免造成划痕；减薄陶瓷基片厚度，继续增大上磨盘和下磨盘的转速A，增大上磨盘对陶瓷基片的加工压力B，提高材料表面的去除率；精修陶瓷基片边缘，相较于减薄陶瓷基片厚度的研磨参数，减小上磨盘对陶瓷基片的加工压力B。本发明专利技术可广泛应用于研磨工艺技术领域。可广泛应用于研磨工艺技术领域。可广泛应用于研磨工艺技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷基片的研磨方法


[0001]本专利技术涉及研磨工艺
，特别涉及一种陶瓷基片的研磨方法。

技术介绍

[0002]陶瓷基片因其具有薄、耐高温、电绝缘性能高、介质损耗低、化学稳定性好等优点，被广泛应用在电子信息行业中的集成电路封装、LED照明、散热基片等领域。陶瓷基片是通过粉体研磨
→
制浆
→
流延成型
→
冲压刻痕
→
烧结
→
抛光
→
修正复平
→
尺寸分选等工艺制得，在烧结过程中由于生坯中氧杂质的存在，热导率不能得到稳定的控制，而导致烧结过程中基片表面出现不同程度的形变，最终表现为基片表面的不平整，要得到表面平整的陶瓷基片，需要采用打磨或研磨的方式进行再加工。
[0003]目前为了提高产品表面的平面度，一般将烧结后的产品先采用大水磨粗磨到一定厚度，然后通过铸铁磨研磨到所需厚度和所需的平整度，但大水磨研磨容易在产品表面留下齿轮痕迹，后期铸铁磨很难磨平，导致产品的厚薄不均、平面度差。

技术实现思路

...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基片的研磨方法，其特征在于：平整处理陶瓷基片表面，采用分段梯度增速的方式增大上磨盘和下磨盘的转速A，采用分段梯度增压的方式增大上磨盘对陶瓷基片的加工压力B；完成对陶瓷基片表面的平整处理后，减薄陶瓷基片厚度，继续增大上磨盘和下磨盘的转速A，增大上磨盘对陶瓷基片的加工压力B；完成陶瓷基片厚度的减薄后，精修陶瓷基片边缘，相较于减薄陶瓷基片厚度的研磨参数，减小上磨盘对陶瓷基片的加工压力B。2.根据权利要求1所述的陶瓷基片的研磨方法，其特征在于：上磨盘和下磨盘的转速A保持一致，上磨盘和下磨盘的增速C保持一致。3.根据权利要求2所述的陶瓷基片的研磨方法，其特征在于：上磨盘和下磨盘的增速C最大值为30r/min，最小值为10r/min。4.根据权利要求1至3任一项所述的陶瓷基片的研磨方法，其特征在于：平整处理陶瓷基片表面的过程中，分四个阶段增加转速A；第一阶段，转速A为0至10r/min；第二阶段，转速A为0至25r/min；第三阶段，转速A为0至30r/min；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，王高强，江楠，
申请(专利权)人：南充三环电子有限公司，
类型：发明
国别省市：