适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法技术

本发明专利技术涉及一种适用镭射盲孔的多层封装基板对准方法，包括如下步骤：开料：裁切一定尺寸的基板；内层图形线路：制作出基准A的靶标和外层线路对位基准D的靶标；压合：利用PP层和外铜箔层对基板进行增层，形成多层板；X

【技术实现步骤摘要】
适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法


[0001]本专利技术涉及封装基板，具体涉及一种适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法。

技术介绍

[0002]目前，封装基板主流有三种加工工艺，Tenting工艺，MSAP工艺，SAP工艺，这是三种不同的工艺体系。在Tenting工艺中，常规的多层板对位系统要么以靶孔为基准，那么孔与内层图形的对准度会更好些；或者是以外层钻孔为基准，则孔与外层图形的对准度会好些；因此依常规的对位系统设计，仅能满足孔环＞60μm的设计、目标PAD环＞70μm，无法满足高精度布线设计。
[0003]随着电子产品的越来越小的发展趋势，封装基板的精度要求也越来越高，导入更高精度的设备会增加企业的固定资产，无形中减少公司的现金流程，增加公司的运营负担。因此需要开发一套新的对位系统开发，既满足产品设计要求，又无需大额投资。

技术实现思路

[0004]为了克服上述缺陷，本专利技术提供一种适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法，该对准方法中涉及了多重对位基准，既提高了镭射盲孔与内层图形的对准度，同时又兼顾到了多层间的对准度。
[0005]本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法，包括如下步骤：
[0007]步骤1：开料：裁切一定尺寸的基板，所述基板具有芯层以及分别设置于该芯层正、反两面的第一内铜箔层和第二内铜箔层；
[0008]步骤2：内层图形线路：对基板的第一内铜箔层和第二内铜箔层进行线路前处理、压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，而形成内层图形线路，同时在基板边缘上制作出外层镭射开窗对位基准A的靶标和外层线路对位基准D的靶标，并在第一内铜箔层上形成避让槽；
[0009]步骤3：压合：利用PP层和外铜箔层对基板进行增层，形成多层板；
[0010]步骤4：X
‑
Ray打靶：依内层图形的靶标，在外铜箔层上制作出外层镭射开窗对位基准A和外层图形线路对位基准D；
[0011]步骤5：外层镭射前线路：以A为基准，制作出镭射钻孔对位基准B、镭射盲孔开窗以及线路对位基准C的开窗；
[0012]步骤6：镭射钻孔：以B为基准，制作出有效区域内镭射盲孔用于层间导通，以及线路对位基准C，该对位基准C穿过第一内铜箔层上的避让槽；
[0013]步骤7：沉铜电镀：对用于层间导通的盲孔和基准C的通孔进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使孔内壁镀铜而将层间相互导通；
[0014]步骤8：外层图形线路：对多层板的外铜箔层进行线路前处理、压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，而形成外层图形线路，其中制作外层线路时，是以基准C和基准D拟合出的
复合孔作为对位基准的。
[0015]优选地，在步骤4中，基准A和基准D是以内层靶标为基准制作出来的靶孔，且基准A和基准D的孔径为0.1～5.0mm。
[0016]优选地，在步骤5中，所述基准B为蚀刻出的PAD，形状可为圆形、方形或三角形。
[0017]优选地，在步骤6中，所述基准C由围绕基准D的一圈通孔组成，所述通孔为镭射通孔，且所述通孔的孔径为0.2～0.5mm，每个通孔对应的第一内铜箔层处皆设有一避让槽，所述避让槽的孔径大于该通孔的孔径，而在通孔孔位对应的第一内铜箔层上形成铜层避让。
[0018]优选地，在上述步骤8中，图形对位时，抓取基准C的一圈通孔孔心虚拟出来的圆孔，同时抓取基准D的圆孔，将虚拟出来的圆孔与基准D按比例运算后得到最终的拟合对位基准，以该拟合对位基准完成外层图形线路的制作。
[0019]优选地，上述步骤2和8中图形线路具体包括以下步骤：
[0020](1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；
[0021](2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上；
[0022](3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
[0023](4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
[0024](5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
[0025](6)退膜：通过退膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；
[0026](7)AOI：AOI系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验。
[0027]优选地，上述步骤3中压合具体包括以下步骤：
[0028](1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；
[0029](2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
[0030](3)叠合：将基板、PP层和外铜箔层依次叠合；
[0031](4)压合：在压机的高温、高压下将基板、PP层和外铜箔层融合粘接呈多层板；
[0032](5)后处理：钻靶：利用X光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。
[0033]优选地，上述步骤7沉铜电镀具体包括以下步骤：
[0034](1)去胶渣：利用等离子法去除钻孔时产生的胶渣；
[0035](2)化学铜：在孔内通过化学作用沉积上一层薄层均匀、具有导电性的化学铜层；
[0036](3)电镀铜：在化学铜层表面通过电镀方式镀上一层电镀铜层。
[0037]本专利技术的有益效果是：
[0038]1)本专利技术中使用镭射开窗加镭射钻孔制作出来的基准C作为外层图形线路的对位基准，使得图形线路与镭射孔的对位偏差仅为线路曝光的偏差，可实现最小孔环为20μm的
设计需求，且对准基准C设计为一圈小孔，再以一圈小孔虚拟出来的圆为基准，可解决因其中一颗孔制作不良而带来的对位偏差问题；
[0039]2)本专利技术中图形线路对位基准中加入以内层靶标为基准制作出的靶孔基准D，一方面可以提高与内层图形的对准度，从而实现更小的Target PAD环设计，Target PAD环最小可达30μm，另一方面可避免因单纯追求单层图形与孔的对准度而牺牲层间对准度的漏失，即可保证层间对准度，在保证同层图形与孔的对准度的前提下，满足层间对准度≤25μm的设计需求；本专利技术仅从设计上来提高对准度，所涉工艺均为成熟工艺，无需投入更高精度的设备，大大降低了投入成本，在不明显提高企业成本的前提下，满足高精密产品设计要求。
附图说明
[0040]图1为本专利技术中基板的结构示意图；
[0041]图2为本专利技术中基板内层线路后的结构示意图；
[0042]图3为本专利技术中基板内层线路后的的俯视图；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：开料：裁切一定尺寸的基板(10)，所述基板具有芯层(11)以及分别设置于该芯层正、反两面的第一内铜箔层(12)和第二内铜箔层(13)；步骤2：内层图形线路：对基板的第一内铜箔层和第二内铜箔层进行线路前处理、压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，而形成内层图形线路，同时在基板边缘上制作出外层镭射开窗对位基准A的靶标和外层线路对位基准D的靶标，并在第一内铜箔层(12)上形成避让槽(14)；步骤3：压合：利用PP层(21)和外铜箔层(22)对基板进行增层，形成多层板(20)；步骤4：X
‑
Ray打靶：依内层图形的靶标，在外铜箔层上制作出外层镭射开窗对位基准A和外层图形线路对位基准D；步骤5：外层镭射前线路：以A为基准，制作出镭射钻孔对位基准B、镭射盲孔开窗以及线路对位基准C的开窗；步骤6：镭射钻孔：以B为基准，制作出有效区域内镭射盲孔用于层间导通，以及线路对位基准C，该对位基准C穿过第一内铜箔层(12)上的避让槽(14)；步骤7：沉铜电镀：对用于层间导通的盲孔和基准C的通孔进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使孔内壁镀铜而将层间相互导通；步骤8：外层图形线路：对多层板的外铜箔层(22)进行线路前处理、压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，而形成外层图形线路，其中制作外层线路时，是以基准C和基准D拟合出的复合孔作为对位基准的。2.根据权利要求1所述的适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法，其特征在于：在步骤4中，基准A和基准D是以内层靶标为基准制作出来的靶孔，且基准A和基准D的孔径为0.1～5.0mm。3.根据权利要求1所述的适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法，其特征在于：在步骤5中，所述基准B为蚀刻出的PAD，形状可为圆形、方形或三角形。4.根据权利要求1所述的适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法，其特征在于：在步骤6中，所述基准C由围绕基准D的一圈通孔组成，所述通孔为镭射通孔，且所述通孔的孔径为0.2～0.5mm，每个通孔对应的第一内铜箔层处皆设有一避让槽(14)，所述避让槽(14)的孔径大于该通孔的孔径，而在通孔孔位对应的第一内铜箔层(12)上形成铜层避让。5.根据权利要求1所述的适用于镭...

【专利技术属性】
技术研发人员：马洪伟，宗芯如，杨飞，
申请(专利权)人：江苏普诺威电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：