一种InP衬底清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种InP衬底清洗方法，属于晶圆处理领域，包括：将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡0.5

【技术实现步骤摘要】
一种InP衬底清洗方法


[0001]本专利技术涉及InP衬底处理
，尤其涉及一种InP衬底清洗方法。

技术介绍

[0002]近年来，为了满足人们对信息传递的要求，光通信网络逐步向高速、全光网方向发展。半导体光电探测器作为光通信网络中重要的接收器件，其性能影响整个光通信网络的运转。InP基的探测器作为一种半导体材料，磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子在通过InP材料时速度快，这意味着用这种材料制作的器件能够放大更高频率或更短波长的信号，但是其材料脆，很容易碎裂。在碎裂之后极易形成微小的碎屑，难以去除。
[0003]在中国专利申请号：CN202022378279.0中记载了InP衬底在清洗时，需要操作者手握水枪冲洗晶圆表面。该方法很难清除InP碎屑。鉴于此，故提出本申请。

技术实现思路

[0004]为解决
技术介绍
中存在的至少一个方面的技术问题，本专利技术提出一种InP 衬底清洗方法，能够有效去除InP碎屑。
[0005]本专利技术提出的一种InP衬底清洗方法，包括：
[0006]将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡0.5
‑
10分钟；
[0007]用去离子水冲洗；
[0008]烘干。
[0009]优选地，在烘干前，将InP衬底用有机溶剂清洗，而后，再用去离子水冲洗。
[0010]优选地，所述有机溶剂为丙酮或酒精；用丙酮浸泡4
‑
6分钟；或者，用酒精浸泡2
‑
4分钟。
[0011]优选地，在InP衬底置于碱性溶剂中浸泡时进行晃动或采用超声振动的方式进行清洗。
[0012]优选地，所述碱性溶剂为显影液、去胶液或氨水与水的混合液、脂肪酸钠水溶液，其中，氨水与水的体积比为1：1
‑
50；脂肪酸钠与水的体积比为1： 50
‑
100。
[0013]优选地，所述氨水与水的体积比为1：1；或，所述氨水与水的体积比为1： 5；或，所述氨水与水的体积比为1：10；或，所述氨水与水的体积比为1：50。
[0014]优选地，所述脂肪酸钠与水的体积比为1：50；或，所述脂肪酸钠与水的体积比为1：100。
[0015]本专利技术公开的一个方面带来的有益效果是：
[0016]采用碱性溶剂对其产生InP碎屑的表面进行清洗，能有效的去除表面的INP 碎屑颗粒，因为碱性溶剂的加入可以消除表面静电，同时还能防止静电的形成，避免了颗粒重新吸附在衬底表面，解决了传统的清洗方式清洗不掉INP碎屑的问题,提升良率。
具体实施方式
[0017]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互的结合；下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”和“右”等指示的方位或位置关系为基于所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定方位、以特定的方位构成和操作，因此不能理解为本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0019]实施例1：
[0020]本实施例提出的一种InP衬底清洗方法，包括：
[0021]将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡1分钟，浸泡过程中进行晃动；碱性溶剂可以为显影液；
[0022]用去离子水冲洗；
[0023]烘干。
[0024]实施例2：
[0025]本实施例提出的一种InP衬底清洗方法，包括：
[0026]将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡0.5分钟，浸泡过程中采用超声振动的方式进行清洗；碱性溶剂可以为显影液。
[0027]用去离子水冲洗。
[0028]将InP衬底用有机溶剂清洗；有机溶剂可以为丙酮，浸泡4
‑
6分钟，本实施例浸泡5分钟。
[0029]用去离子水冲洗。
[0030]烘干。
[0031]实施例3：
[0032]本实施例提出的一种InP衬底清洗方法，包括：
[0033]将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡10分钟，浸泡过程中采用超声振动的方式进行清洗；碱性溶剂可以为去胶液。
[0034]用去离子水冲洗。
[0035]将InP衬底用有机溶剂清洗；有机溶剂可以为酒精，浸泡2
‑
4分钟，本实施例浸泡3分钟。
[0036]用去离子水冲洗。
[0037]烘干。
[0038]实施例4：
[0039]本实施例提出的一种InP衬底清洗方法，包括：
[0040]将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡3分钟，浸泡过程中进行晃动；碱性溶剂可以为氨水与水的混合液，其中，氨水与水的体积比为1：1
‑
50，可以为1:1、 1:5、1:10、1:50。
[0041]用去离子水冲洗。
[0042]将InP衬底用有机溶剂清洗；有机溶剂可以为酒精，浸泡2分钟。
[0043]用去离子水冲洗。
[0044]烘干。
[0045]实施例5：
[0046]本实施例提出的一种InP衬底清洗方法，包括：
[0047]将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡8分钟，浸泡过程中进行晃动；碱性溶剂可以为脂肪酸钠水溶液，其中，脂肪酸钠与水的体积比为1：50
‑
100，可以为 1:50、1:75:、1:100。
[0048]用去离子水冲洗。
[0049]将InP衬底用有机溶剂清洗；有机溶剂可以为酒精，浸泡2分钟。
[0050]用去离子水冲洗。
[0051]烘干。
[0052]采用碱性溶剂对其产生InP碎屑的表面进行清洗，能消除INP碎屑与晶圆表面之间的静电，能有效的去除表面的INP碎屑颗粒，碱性溶剂的加入可以消除表面静电，同时还能防止静电的形成，避免了颗粒重新吸附在衬底表面，解决了传统的清洗方式清洗不掉INP碎屑的问题,提升良率。
[0053]所述显影液的主要成分为百分比浓度为2.38％的四甲基氢氧化铵，所述去胶液的主要成分为N
‑
甲基吡咯烷酮。
[0054]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种InP衬底清洗方法，其特征在于，包括：将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡0.5
‑
10分钟；用去离子水冲洗；烘干。2.根据权利要求1所述的InP衬底清洗方法，其特征在于，在烘干前，将InP衬底用有机溶剂清洗，而后，再用去离子水冲洗。3.根据权利要求2所述的InP衬底清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂为丙酮或酒精；用丙酮浸泡4
‑
6分钟；或者，用酒精浸泡2
‑
4分钟。4.根据权利要求1所述的InP衬底清洗方法，其特征在于，在InP衬底置于碱性溶剂中浸泡时进行晃动或采用超声振动的方式进行清洗。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：万远涛，石峰，杨鲁勇，
申请(专利权)人：浙江光特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：