太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统技术方案

本发明专利技术公开一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统，其中制备方法包括步骤：S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔；S2，在太阳能电池上生长种子层，种子层通过S1的开孔区域与第一区域，和/或第二区域形成导电接触；S3，在水平电镀设备上水平传输待电镀的太阳能电池，使得种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于电镀槽内的移动机构带动太阳能电池自太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀。本发明专利技术在不影响开膜尺寸的前提下保证了太阳能电池的电极宽度，且以水平电镀方式实现了对太阳能电池的规模化电镀。方式实现了对太阳能电池的规模化电镀。方式实现了对太阳能电池的规模化电镀。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统。

技术介绍

[0002]现有技术中，太阳能电池的电极制备方法通常包括如下步骤：步骤1，对N型硅片表面通过湿化学法进行织构化处理；步骤2，在N型硅片正面制作发射极；步骤3，在N型硅片背面沉积隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上沉积掺杂多晶硅；步骤4，对N型硅片进行双面镀膜；步骤5，在N型硅片的正面和背面进行激光开膜形成电极栅线预设区以及电镀压针区；步骤6，电镀电极夹持住电池正面和背面的电镀压针区进行槽式电镀。
[0003]通过上述方法制备的电极宽度受限于激光开膜的尺寸，其中激光开膜会引入一定的损伤，所以激光开模尺寸越大，激光损伤越严重；同时电极在正面时，会遮挡太阳光的入射，过宽则会降低电池的转换效率。但窄的激光开膜尺寸却会引起另外两个问题：1）电极宽度越窄越容易引起栅线脱落；2)电极宽度越窄电极的线电阻越小，影响电池的转换效率理想情况下，电极宽度越大，太阳能电池的线电阻越小，更有利于提高太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔；步骤S2，在所述太阳能电池上生长种子层，所述种子层通过步骤S1的开孔区域与所述第一区域，和/或所述第二区域形成导电接触；步骤S3，水平传输待电镀的所述太阳能电池，阴极电镀刷与水平传输的所述太阳能电池上的所述种子层接触，使得所述种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于所述电镀槽内的移动机构带动所述太阳能电池自所述太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使所述太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一区域或/与所述第二区域覆盖有隧穿氧化层以及多晶硅层。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，利用物理气相沉积法在所述太阳能电池上生长所述种子层。4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在生长所述种子层之前，首先利用气相沉积法生长透明导电氧化物薄膜。5.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，所述制备方法还包括：步骤A1，在电镀后的样品上的电镀电极区域制备掩膜后对所述样品进行刻蚀，然后将所述第一区域和所述第二区域上的所述电镀电极形成绝缘隔离。6.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，在所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括：在所述种子层上形成掩膜，以实现所述第一区域和所述第二区域上的电镀层的物理隔离。7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤S3之后还包括：清洗所述种子层上的掩膜层，然后进行湿化学刻蚀以去除所述种子层，形成所述第一区域和所述第二区域的所述电镀电极的绝缘隔离。8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜在湿化学刻蚀去除所述种子层时被一并去除。9.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，在步骤S2之后还包括：步骤B1，在所述种子层上形成掩膜后进行湿化学刻蚀，以实现所述第一区域和所述第二区域上的所述种子层的绝缘隔离；步骤B2，去除所述种子层上的掩膜。10.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，步骤S2中，在所述太阳能电池上使用掩膜版以形成图形化的电镀种子层，以实现所述第一区域和所述第二区域上的种子层的绝缘隔离。11.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，待设
置电极的所述太阳能电池通过以下步骤制备而得：步骤L1，对硅片表面进行织构化处理；步骤L2，在所述硅片的背面沉积隧穿氧化层，然后在所述隧穿氧化层上沉积具有第一极性的第一掺杂多晶硅；步骤L3，在所述第一掺杂多晶硅上沉积第一掩膜；步骤L4，保留预设在硅片背面的第一区域上的所述第一掩膜，去除预设在硅片背面的第二区域上的所述第一掩膜；步骤L5，去除沉积在所述第二区域上的所述第一掺杂多晶硅和所述隧穿氧化层后，在所述第二区域上再次制备第二掩膜；步骤L6，在所述第二区域上沉积所述隧穿氧化层，然后在所述第二区域的所述隧穿氧化层上沉积具有第二极性的第二掺杂多晶硅；步骤L7，在所述第二区域上沉积的所述第二掺杂多晶硅上制备第三掩膜；步骤L8，保留所述第二区域上的非GAP区的所述第三掩膜，去除所述第二区域上的GAP区外的所述第三掩膜；步骤L9，通过湿化学方法去除沉积在所述第一区域上的所述第二掩膜、所述第二掩膜上方的材料层以及硅片背面的所述GAP区域沉积的所述隧穿氧化层以及所述第二掺杂多晶硅；步骤L10，对所述硅片进行双面镀膜，得到待设置电极的所述太阳能电池。12.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层包括主组分及强化组分，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，许文理，朱玮，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：