低温烧结黑色氧化铝陶瓷制造技术

本发明专利技术涉及一种低温烧结黑色氧化铝陶瓷。其制备的封装管壳、基片、基板、LED显示屏等产品应用于遮光用的电子集成电路中。该陶瓷材料的制造原料含有：氧化铝、氧化钴、二氧化钛，二氧化硅、氧化锰、碳酸锂、氧化铋、五氧化二矾等组分；将上述组分经过配料、一次球磨、造粒、成型、装钵烧结的固相反应工序烧结成黑色氧化铝陶瓷。本发明专利技术具有较低的烧结温度在1280

【技术实现步骤摘要】
低温烧结黑色氧化铝陶瓷


[0001]本专利技术涉及一种低温烧结黑色氧化铝陶瓷。其制备的封装管壳、基片、基板、LED等产品应用于遮光用的电子集成电路中。

技术介绍

[0002]目前，随着我国电子技术的迅猛发展，对于应用于遮光集成电路的封装管壳、基板基片及LED显示屏等陶瓷材料要求具有低的介电常数(10～12)、高的绝缘电阻＞10
11
Ωcm，并且体积小，致密性好体积密度及机械强度高，价格便宜，绿色环保，不含重金属等有害元素。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供低温烧结黑色氧化铝陶瓷，旨在解决所述
技术介绍
中存在的问题。为实现所述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种低温烧结的呈色均匀的黑色氧化铝陶瓷，其具有较低的烧结温度、低介电常数、高致密性及高的机械强度、高绝缘的特性。其应用于集成电路遮光用的封装管壳、基板基片、LED显示屏等电子领域，可以使体积小、价格便宜。
[0005]本专利技术所要解决的技术方案如下：/>[0006]关键本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结黑色氧化铝陶瓷的制备方法：其特征在于，所制备方法包括：1)制造原料中含有包括氧化铝、氧化钴、二氧化钛、二氧化硅、二氧化锰、碳酸锂、氧化铋、五氧化二矾和氧化铋，各组分含量的质量百分比为：氧化铝90％～92％；氧化钴0.4％～0.6％；二氧化钛1.5％～3％；二氧化硅0.3％～0.5％；二氧化锰3.6～3.8％；五氧化二矾0.2～0.4％；碳酸锂0.4～0.6％；氧化铋1.3～1.8％；2)取纯度99.5％的各上述原料组分经过配料加入球磨机混合搅拌球磨8h，球磨介质为φ5～φ15的氧化锆球，原料：氧化锆球：去离子水＝1：4：2，混合球磨后得到粒径2
‑
3um的均匀料浆；3)将上述料浆通过螺动泵打入造粒塔进行自动喷雾造粒，制备出粒径100目的球状流动性的均匀颗粒；4)将上述制备的造粒粉体在6T干压机上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈功田，
申请(专利权)人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司，
类型：发明
国别省市：