【技术实现步骤摘要】
一种大功率砷化镓激光切割系统
[0001]本技术涉及半导体激光
,尤其涉及一种大功率砷化镓激光切割系统。
技术介绍
[0002]大功率半导体激光器具有体积小,质量小,结构简单,亮度高,寿命长等优点。以大功率半导体激光器为基础的工业和军事应用在全球范围内迅猛发展,现已广泛应用于工业生产、激光通信、激光医疗激光显示、自动控制以及军事国防等方面。其中,砷化镓激光器具有众多应用砷化镓是第一种用于二极管激光器的化合物半导体,是发展最好的二极管激光材料。
[0003]现有技术中,如中国专利号为:CN 213857656 U的“一种用于半导体材料的激光切割装置”,包括第一支撑板、第二支撑板和激光切割器,所述第一支撑板的下端面固定安装有多个对称设置的支撑腿,所述第一支撑板远离支撑腿的一侧固定安装有第二支撑板,所述第二支撑板上端面的一侧固定安装有电动直推杆,所述电动直推杆的输出端固定安装有水平设置的安装横杆,所述安装横杆远离电动直推杆的一端固定安装有激光切割器,所述第二支撑板上端面远离电动直推杆的一侧活动安装有工件放置台,所述工 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大功率砷化镓激光切割系统,包括机架(1)和位移架(2),所述机架(1)的顶部与位移架(2)的底部外侧活动安装,其特征在于:所述位移架(2)的顶部活动安装有激光组件(3),所述激光组件(3)包括卡件(30),所述卡件(30)的底部活动安装有X轴驱动电机(31),且卡件(30)的顶部前端固定安装有安装板(32),所述安装板(32)的前端活动安装有Z轴驱动电机(33),且Z轴驱动电机(33)前端固定安装有激光端头(34);所述激光端头(34)包括顶壳(340)和电气激发件(344),所述顶壳(340)的底端固定安装有底壳(345),且底壳(345)的底端开设有射出孔(349),所述底壳(345)的顶部内侧固定安装有聚光高透镜a(346),且聚光高透镜a(346)的外侧卡接有导热件(347),所述顶壳(340)的底部内侧固定安装有聚光高透镜b(341),且顶壳(340)的顶部内侧固定安装有组合卡环(343),所述组合卡环(343)的内侧均匀卡接有多个pn结管芯(342),且每个pn结管芯(342)的顶部均与电气激发件(344)的底部固定安装。2.根据权利要求1所述的大功率砷化镓激光切割系统,其特征在于:所述电气激发件(344)的外侧与顶壳(340)的顶部内侧固定安装...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨军,
申请(专利权)人:上海三菲半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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