一种磁随机存储器的制备方法技术

本申请提供一种磁随机存储器的制备方法，包括：成型衬底层；在所述衬底层上成型缓冲层；在所述缓冲层上成型磁自由层，所述磁自由层包括第一化合物，所述第一化合物包括Cr元素和S元素，所述第一化合物的晶体结构为闪锌矿型结构；在所述磁自由层上成型隧穿绝缘层和铁磁层，使所述隧穿绝缘层设于所述磁自由层与所述铁磁层之间，以形成异质结结构；在所述铁磁层上成型钉扎层，以固定所述铁磁层的磁化方向。本申请方案能与现有工艺兼容又不需要大电流翻转磁矩的磁随机存储器。翻转磁矩的磁随机存储器。翻转磁矩的磁随机存储器。

【技术实现步骤摘要】
一种磁随机存储器的制备方法


[0001]本申请涉及存储芯片
，具体涉及磁随机存储器的制备方法、存储芯片和电子设备。

技术介绍

[0002]随着信息社会的高速发展，人们对于信息处理速度和存储的要求越来越高，现有的静态和动态随机存取存储器的发展，可以预见的不能满足高速计算的需求，对于新型存取存储器件的开发和应用已经成为学术界和工业界的研究趋势。作为非易失性存储器件的一种，磁随机存储可能是目前非常希望替代传统随机存取存储器且能与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)工艺兼容的技术。
[0003]相关技术中，自旋轨道矩
‑
磁随机存储器通过磁自由层磁矩的翻转产生自旋流，导致磁阻的改变，通过磁阻的大小变化来写入和读取数据。由于自旋轨道矩
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磁随机存储器是利用自旋轨道转矩(STT)效应才能改变自由层磁化的方向，而这需要很大的电流密度。所以这一技术需要大电流来翻转磁自由层的磁矩，如此，导致存储器的能耗过大，同时也会损耗存储器的使用寿命。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁随机存储器的制备方法，其特征在于，包括：成型衬底层；在所述衬底层上成型缓冲层；在所述缓冲层上成型磁自由层，所述磁自由层包括第一化合物，所述第一化合物包括Cr元素和S元素，所述第一化合物的晶体结构为闪锌矿型结构；在所述磁自由层上成型隧穿绝缘层和铁磁层，使所述隧穿绝缘层设于所述磁自由层与所述铁磁层之间，以形成异质结结构；在所述铁磁层上成型钉扎层，以固定所述铁磁层的磁化方向。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底层为砷化镓层；所述成型衬底层之后，包括：制备腐蚀液，所述腐蚀液包括体积比分别为1:1:1的硫酸、双氧水和水；将所述衬底层设于所述腐蚀液中，加热至第一温度以去除表面氧化物，再冷却至第二温度，所述第一温度为600℃，所述第二温度为270℃。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底层上成型缓冲层，包括：在所述第二温度下采用化学气相沉积法在所述衬底层上生长硒化锌层，以成型缓冲层，使所述缓冲层的厚度小于或等于60nm。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上成型磁自由层，包括：将硫化锌和含铬、锰元素的化合物作为原材料，控制温度为780℃到840℃之间，以在所述缓冲层上成型Mn1‑
x
Cr
x
S层，以形成磁自由层，所述x的取值为0～1，所述磁自由层的厚度小于或等于50nm。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述磁自由层上成型隧穿绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫，
申请(专利权)人：深圳英集芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：