半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一栅极材料层于鳍状结构上，进行一蚀刻制作工艺图案化栅极材料层以形成一栅极结构以及一硅残留，对该硅残留进行灰化制作工艺，再进行一清洗制作工艺将该硅残留转换为聚合物停止层于鳍状结构顶部及侧壁。壁。壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于栅极结构旁形成聚合物停止层的方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着场效晶体管(field effect transistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,Fin FET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(drain induced barrier lowering,DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(short channel effect,SCE)。再者，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下会具有更宽的通道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。甚而，晶体管元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成鳍状结构于基底上；形成栅极材料层于该鳍状结构上；以及图案化该栅极材料层以形成栅极结构以及聚合物停止层于该鳍状结构顶部及侧壁。2.如权利要求1所述的方法，另包含：进行蚀刻制作工艺图案化该栅极材料层以形成硅残留；对该硅残留进行灰化制作工艺；以及进行清洗制作工艺将该硅残留转换为该聚合物停止层。3.如权利要求2所述的方法，其中该硅残留包含碳、氮以及氟。4.如权利要求1所述的方法，其中该聚合物停止层包含碳、氧、氮、氢以及氟。5.如权利要求1所述的方法，另包含：形成第一硬掩模于该栅极材料层上；形成第二硬掩模于该第一硬掩模上；以及图案化该第二硬掩模、该第一硬掩模以及该栅极材料层以形成该栅极结构以及该聚合物停止层。6.如权利要求1所述的方法，另包含进行氧化制作工艺将该栅极结构侧壁氧化以形成第一遮盖层。7.如权利要求6所述的方法，另包含形成该第一遮盖层于该栅极结构侧壁以及该聚合物停止层内侧侧壁。8.如权利要求6所述的方法，另包含：形成第二遮盖层于该第一遮盖层侧壁以及该聚合物停止层侧壁；去除该第二遮盖层以及该第一遮盖层以形成第一间隙壁以及第二间隙壁；形成源极/漏极区域于该第二间隙壁两侧；形成层间介电层于该栅极结构上；以及进行金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。9.如权利要求8所述的方法，另包含：进行平坦化制作工艺去除该金属栅极以形成第一金属栅极于该鳍状结构一侧以及第二金属栅极于该鳍状结构另一侧。10.一种半导体元件，其特征在于，包含：鳍状结构，设于基底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：