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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一栅极材料层于鳍状结构上，进行一蚀刻制作工艺图案化栅极材料层以形成一栅极结构以及一硅残留，对该硅残留进行灰化制作工艺，再进行一清洗制作工...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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