LDMOS开关器件及其制作方法技术

本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该制作方法，包括以下步骤：在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧；在半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在栅极两侧的半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使源/漏区中的漏区位于漂移区中。本申请的上述方法在半绝缘SiC半绝缘衬底上直接制作RF LDMOS开关器件，可以通过SiC氧化和离子注入实现沟道增强型RF LDMOSFET的工艺设计，该工艺充分发挥了SiC的高热导率属性，SiC高的键能使器件有更高的工作电压，能够在高温高压环境中仍然实现高输出功率和效率。在高温高压环境中仍然实现高输出功率和效率。在高温高压环境中仍然实现高输出功率和效率。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS开关器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种LDMOS开关器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]对于现有的RF LDMOSFET，其整体结构通常在Si材料上制作，硅LDMOS器件受限于导通电阻(Ron)和额定电压(BV)的折中，达到了硅的极限，同时硅材料的热导率较低，对于更高工作电压和更高环境温度，Si基RF LDMOSFET已经无法满足要求，受温度限制其功率效率往往较低而且难以提高。
[0003]目前，能够在高环境温度下工作的射频器件主要是GaN HEMT。GaN具有强的原子键，高的热导率，然而GaN难以生长氧化层，导致器件可靠性较低，且GaN HEMT属于耗尽型器件，这增加了使用难度，操作失误很容易出现烧管子的现象。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种LDMOS开关器件及其制作方法，以解决现有技术中射频器件难以在高环境温度下工作的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种LDMOS开关器件的制作方法，包括以下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS开关器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，所述栅极位于所述栅氧化层远离所述第一表面的一侧；在所述半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在所述栅极两侧的所述半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使所述源/漏区中的漏区位于所述漂移区中。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半绝缘SiC基底为N型半绝缘4H
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SiC衬底或N型4H
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SiC缓变外延层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅氧化层的步骤包括：对所述第一表面进行热氧化处理，以形成种子氧化层；在所述种子氧化层表面进行化学气相沉积，以形成所述栅氧化层。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述热氧化处理的步骤之后，在所述化学气相沉积的步骤之前，形成所述栅氧化层的步骤还包括：在包括NO和Ar的混合气体氛围下，对所述种子氧化层进行热退火处理。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：在所述半绝缘SiC基底中形成体区，以使所述源/漏区中的源区位于所述体区中；在所述体区中形成体区接触区，以使所述体区接触区位于所述源区的一侧。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述半绝缘SiC基底具有与所述第一表面相对的第二表面，所述制作方法还包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣伟，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：