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本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该制作方法，包括以下步骤：在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧；在半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在栅极两侧的半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使源/...
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