透射电镜样品的制备方法及装置制造方法及图纸

本公开提供一种透射电镜样品的制备方法及装置。本公开的透射电镜样品的制备方法包括：制备预设尺寸的掩模板；将所述掩模板叠放于半导体样品表面的第一区域；利用聚焦离子束切削减薄所述半导体样品表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域相邻，以获得具有特定薄区的透射电镜样品。该方案的优点在于：在聚焦离子束切削样品时采用掩模板进行保护，可以控制新产品研发过程中聚焦离子束切削产生的波纹状损伤。采用该方法制作的透射电镜样品无波纹状损伤，质量高，从而改善了欲分析样品的图像质量，降低了分析周期，提高了研发效率。提高了研发效率。提高了研发效率。

【技术实现步骤摘要】
透射电镜样品的制备方法及装置


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种透射电镜样品的制备方法及装置。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的特征尺寸不断缩小，电子元器件的可靠性问题越来越受到重视，相应的器件失效分析、半导体工艺测试分析需求也越来越迫切。
[0003]半导体工艺测试分析过程中，会采用FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)技术进行TEM(透射电子显微镜，Transmission electron microscope)样品制备，如TEM平面样品、TEM截面样品。然后进行TEM分析，完成半导体工艺测试分析工作。而在采用FIB技术制备样品时，由于样品材料种类、离子束电流密度、离子束切削高度等原因，会在样品截面产生波纹状损伤(rippling damage)，如图1所示，使欲分析样品的图像质量变差。
[0004]现有的改善FIB切削时产生的波纹状损伤方法为，使用各种材料的保护层例如铂Pt、钨W、硅SiO2、碳C等，借由逆倾斜切削(tilt milling)与低压切削(low kV milli本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括：制备预设尺寸的掩模板；将所述掩模板叠放于半导体样品表面的第一区域；利用聚焦离子束切削减薄所述半导体样品表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域相邻，以获得具有特定薄区的透射电镜样品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制备预设尺寸的掩模板的步骤包括：提供基板；利用聚焦离子束，按照预设作业流程切割所述基板的目标区域；利用取样探针剥离被切割的所述目标区域，以获得预设尺寸的掩模板。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设尺寸为：宽度50微米、长度100微米、高度50微米。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板为单晶硅材料。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚焦离子束通过镓离子去除在切削减薄样品时所产生的波纹。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，制备预设尺寸的掩模板的步骤，还包括：利用取样探针剥离作业前，设定掩模板的制作条件如下：在基板上图案化预设数量个目标区...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德元，余嘉晗，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：